半导体敏感元件热敏元件与温度传感器.pptVIP

数字输出温度传感器 7 IC温度传感器 Smartec温度传感器是数字输出硅传感器，一线制输出可以直接和控制器连接而无需AD转换。温度范围为–45 to 150 . 传感器可提供多种封装。 ℃ ℃ 7 IC温度传感器 DS1820的工作原理 电源检测 温度传感器 高温触发器 低温触发器 8位CRC触发器 存储器 DS1820内部结构图 64bit ROM 和单线接口 存储器控制逻辑 温度测量电路 DS1820的管脚排列 作业 1.对于掺杂的硅、锗等原子半导体，探讨其迁移率与温度的关系。 2.分析电压型集成温度传感器工作原理（p102）。 3.解释温标。 4.了解其他测温方法。 电工技术基础与工程应用 第1章 半导体晶体管和场效应管 本章小结 第3节 绝缘栅场效应晶体管 第2节 晶体三极管与交流放大法电路 第1节 半导体的基础知识 第1章 半导体晶体管和场效应管 1.1 半导体的基础知识 1.1.1 物理基础 1.1.2 本征半导体 1.1.3 杂质半导体 1.1.4 PN结 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 与导体的电阻率相比较，半导体的电阻率有以下特点： 1．对温度反映灵敏(热敏性) 2．杂质的影响显著(掺杂性) 极微量的杂质掺在半导体中，会引起电阻率的极大变化。 3．光照可以改变电阻率(光敏性) 温度、杂质、光照对半导体电阻率的上述控制作用是制作各种半导体器件的物理基础。 1.1.1 物理基础 1.1.2 本征半导体 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 载流子 — 自由运动的带电粒子。 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。 +4 +4 +4 +4 硅(锗)的原子结构 Si 2 8 4 Ge 2 8 18 4 简化 模型 +4 惯性核 硅(锗)的共价键结构 价电子 自 由 电 子 (束缚电子) 空 穴 空穴 空穴可在共 价键内移动 本征激发： 复 合： 自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。 漂 移： 自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。 在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。 1.1.2 本征半导体 两种载流子 电子(自由电子) 空穴 两种载流子的运动 自由电子(在共价键以外)的运动 空穴(在共价键以内)的运动 半导体的导电特征 I IP IN I = IP + IN + – 电子和空穴两种载流子参与导电 在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流IN 。空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流IP 。 1.1.2 本征半导体 本征半导体中由于载流子数量极少，导电能力很弱。如果有控制、有选择地掺入微量的有用杂质（某种元素），将使其导电能力大大增强，成为具有特定导电性能的杂质半导体。 1.1.3 杂质半导体 1. 本征半导体中电子空穴成对出现, 且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度、光照等外 界条件有关。 结论 1、N 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入五价元 素磷。 N 型 磷原子 自由电子 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 载流子数 ? 电子数 +5 +4 +4 +4 +4 +4 正离子 多数载流子 少数载流子 N 型半导体的简化图示 P 型 硼原子 空穴 空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数 ? 空穴数 2、P 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入三价元 素硼。 +4 +4 +4 +4 +4 +3 P型半导体的简化图示 多数载流子 少数载流子 负离子 1.1.4 PN结 二、复合使交界面形成空间电荷区 空间电荷区特点:无载流子、阻止扩散进行、利于少子的漂移。 (耗尽层) 三、 扩散和漂移达到动态平衡 扩散电流 等于漂移电流，总电流 I = 0。 内电场 扩散运动：由浓度差引起的载流子运动。 漂移运动：载流子在电场力作用下引起的运动。 1. PN结的形成 一、载流子的浓度差引起多子的扩散 一、加正向电压(正向偏置)导通 P 区 N 区 内电场 + ? U R 外电场 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 I 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流 I 。 I = I多子 ? I少子 ? I多子 二、加反向电压(反向偏置)截止 P 区 N 区 ? + U R 内电场