半导体热敏电阻的特性研究.pptVIP

扩散粒子流密度： F 一维模型：粒子只能在一维方向上运动。 在某一截面两侧粒子的平均自由程l（l=vthг）范围内，由于热运动而穿过截面的粒子数为该区域粒子数的1/2。 扩散流密度：单位时间通过扩散的方式流过垂直的单位截面积的粒子数 x x+l x-l 扩散电流密度： 对于带电粒子来说，粒子的扩散运动形成扩散电流。 n(+l) n(-l) n(0) 浓度 电子流 电子电流 x(-l) x(+l) x n(+l) n(-l) n(0) 浓度 空穴流 空穴电流 x(-l) x(+l) x 扩散 系数 总电流密度 半导体中四种独立的电流：电子的漂移及扩散电流；空穴的漂移及扩散电流。 总电流密度为四者之和： 漂移电流：相同的电场下，电子电流与空穴电流的方向相同。 扩散电流：相同的浓度梯度下，电子电流与空穴电流的方向相反。 在半导体中，电子和空穴的扩散系数分别与其迁移率有关 §5.3 杂质浓度分布与爱因斯坦关系 前边讨论的都是均匀掺杂的半导体材料，在实际的半导体器件中，经常有非均匀掺杂的区域。 热平衡状态下：非均匀掺杂将导致在空间的各个位置杂质浓度不同，从而载流子浓度不同。形成的载流子浓度梯度将产生扩散电流。并且由于局域的剩余电荷（杂质离子）存在而产生内建电场。 内建电场形成的漂移电流与扩散电流方向相反，当达到动态平衡时，两个电流相等，不表现出宏观电流，从而造成了迁移率和扩散系数之间的关联：爱因斯坦关系。 缓变杂质分布引起的内建电场热平衡状态的半导体材料费米能级保持为一个常数，因而非均匀掺杂半导体不同位置?E=Ec-EF不同。其能带结构如图所示： 热平衡状态下的均匀掺杂半导体 E x Ec Ev EFi EF E x Ec Ev EFi EF 热平衡状态下的不均匀掺杂半导体 nx 中北大学 中北大学 半导体物理与器件 半导体热敏电阻的特性研究 大学物理实验 主讲教师：李明非 吉林建筑工程学院城建学院 【实验简介】 热敏电阻是一种电阻值随其温度变化而显著变化的电阻，大多由金属氧化物半导体材料制成，或由单晶半导体、玻璃和塑料制成的。由于热敏电阻具有体积小、结构简单、灵敏度高、稳定性好、可实现远程测量和控制等优点，所以广泛应用于测温、控温、温度补偿、报警等领域。热敏电阻分为负温度系数（NTC）热敏电阻、正温度系数（PTC）热敏电阻和开关型热敏电阻，前两者电阻率随温度的变化一般是指数规律。 【实验目的】 1．巩固和复习用电桥测量电阻的方法； 2. 学习如何用电桥测量热敏电阻的温度特性； 3．了解电桥在非电量测量中的应用。 【实验原理】 1．热敏电阻温度特性原理 实验表明在一定温度范围内，半导体的电阻率ρ和绝对温度 T （单位K）之间的关系为 式中A1与B对于同一种半导体材料为常量，其数值与材料的物理性质有关。 对于截面均匀的热敏电阻，其电阻值RT可以根据电阻定律写为 式中l 为两电极间距离，s为热敏电阻的横截面。 对某一特定电阻而言，A与B均为常数，用实验方法可以测定。为了便于数据处理，将上式两边取对数，则有 A=A1· l/s Y X 热敏电阻温度系数的定义式为 ： α不仅与材料常数有关，还与温度有关，低温段比高温段更灵敏。 以1/T 为横坐标，以ln RT 为纵坐标作图，则得到的图线应为直线，其斜率为B，截距为lnA。 2．直流电桥电路原理 G A B C D R1 R2 Rx R3 I1 I2 E K k1 k2 Rb R1、R2、R3和Rx 连成四边形，称为电 桥的四臂。G 为检流 计，Rb 为保护电阻， K2 为保护开关。当C、 D之间的电位相等时，桥路中的电流 Ig 等于零，检流计G的指针指零，此时电桥处于平衡状态。 Kr为倍率，R3为比较电阻。Rx为待测电阻（RT）。 【实验仪器】 FB203A型半导体热敏电阻特性研究试验仪（电源、检流、控温、测温）1台 FB203A型半导体热敏电阻特性研究试验仪（自组惠斯登电桥电阻箱）1台 正（或负）温度系数（PTC或NTC）热敏电阻1付 专用连接线若干 惠斯登电桥电阻箱 半导体热敏电阻 特性研究试验仪 电源 检流 控温 测温 热敏电阻 【实验内容与步骤】 1. 利用实验装置提供的元器件，按图自行组装惠斯登电桥。 长线 长线 2. 把热敏电阻传感器插入加热井中，测量时把选中的热敏电阻的引线接到电桥中（Rx）。 每人只测量一付 3. 根据不同的温度，估计正、负温度系数热敏电阻的阻值范围（见下表或后面的参考曲线） 30℃ 90℃ PTC正温度系数热敏电阻 356Ω 1113Ω NTC