半导体物理与器件第六章.pptVIP

（2）当ND ni时，有 则 （26） （27） 显然这时过渡区接近于本征激发区。 （3）高温本征激发区 特征： 杂质全电离 nD+ = ND； 本征激发的载流子浓度剧增 n0 ND。 电中性条件为：n0=p0+ND≈p0 而 将（2）、（3）式代入（1）式， （1） （2） （3） （4） 讨论 （1）电子浓度及费米能级与温度的关系；五个温区与掺杂浓度的关系。 （2）温度一定时，掺一种杂质情况下，载流子浓度的计算思路： a. 确定ni；b. 将ni与ND（或NA）比较；c. 若不属于过度区或本征激发区，则令其为强电离区；d. 验算杂质未电离的比率D-（或D+），若其值≤，则结论正确；e. 若不满足强电离条件，则采用弱电离的方法计算，但也需验算，若D-（或D+）≥，则结论正确；否则为中间电离区，并且已经可以估算出载流子浓度的大体区间。 （3）p型半导体的计算方法 §3.5 一般情况下的载流子统计分布 重点讨论半导体中同时含有施主和受主杂质时，载流子浓度及费米能级EF。 热平衡状态下的电中性条件： p0 + nD+ = n0 + pA- 利用该方程确定EF和n0、 p0 。 对于掺入不同类型的浅能级杂质，可先确定有效掺杂浓度，近似按照只掺一种类型杂质的方法确定EF和n0、 p0 。 §3.6 简并半导体 1、简并半导体的载流子浓度： 2、简并化条件： （1）EC - EF 2k0T 非简并 （2）0 EC – EF 2k0T 弱简并 （3）EC – EF ≤0 简 并 3、杂质带导电与能带边缘的延伸： 简并情况下，杂质浓度很高，它们之间相互作用使杂质能级分裂形成能带，其中电子可行成共有化运动，引起导电现象。 施主浓度进一步增加，可使杂质能级扩展，并进入导带中与导带相连，形成了新的简并导带。这种现象也可理解为导带的尾部伸入到禁带中，因此，称为能带边缘的延伸。此时，半导体的禁带宽度也相应减小了。 4、关于简并半导体的几点讨论 1、电子共有化运动 原子组成晶体后，由于原子壳层的交叠，电子不再局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到另一个原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。 第一、第二、第三章小节 因为各原子中相似壳层上的电子才有相同的能量，电子只能在相似壳层中转移。 表面复合速度由上页图可见，在表面处存在一个过剩载流子浓度的梯度，因此过剩载流子不断地由体内扩散到表面处并复合掉。这种扩散可以通过下述方程来描述： 参数 是垂直于表面的单位向量。S称为表面复合速度，其单位为cm/sec。若表面的非平衡浓度和体内的非平衡浓度相等，则梯度项就为零，表面复合速度也为零。随着表面的非平衡浓度逐渐变小，梯度变大，于是表面复合速度增加。 例结果及其说明 小结 过剩载流子的产生与复合，产生率与复合率 过剩电子和空穴是一起运动的，而不是相互独立的，这种现象称为双极输运。 推导了小注入及非本征条件下的双极输运方程。过剩载流子（脉冲）的漂移和扩散取决于少数载流子的特性参数。 分析了一些典型的双极输运现象 准费米能级、准热平衡、非平衡载流子浓度与平衡载流子浓度以及相应的准费米能级和费米能级的关系 了解表面效应 双极输运方程的理解和记忆的基础——连续性方程 注意等效双极粒子的电荷极性 E x p/n +e -e x p/n 本章练习题 谢 谢 §3 半导体中载流子的统计分布 热平衡状态下，导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度有确定的统计平均值。 通过状态密度函数g(E)和分布函数fF(E)，计算载流子浓度 §3.1 状态密度 Density of States 假设在能带中能量E与E+dE之间的能量间隔dE内有量子态dZ个，则定义状态密度g(E)为： 推导状态密度函数方法： a. 求出k空间上k取值点密度（等于半导体的体积V）。 b. 求dE对应的k空间上的体积dV*。 c. dZ=2 V dV*。 k空间上k取值点密度： 根据周期性边界条件，k空间中电子的每个k的代表点（ kx，ky，kz ）由整数组（nx，ny，nz）决定。 由此，可知k取值点密度为V。则电子在k空间中的量子态密度是2×V。 k空间 K的取值点分布 假设导带底在k=0处，且 1、球形等