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杂质能级 受主接受电子称为受主杂志，提供了一个局域化的电子态，相应的能级称为受主能级—Ea。 受主杂质很容易从价带接收一个电子——受主电离能很小，因此受主能级位于价带之上，并距离很近。 杂质能级 受主杂质电离的另外一种表述：把中性的受主杂质看成带负电的硼离子在它周围束缚一个带正点的空穴，把受主杂质从价带接收一个电子的电离过程，看做被硼离子束缚的空穴被激发的导带的过程。 这种说法与施主杂质把束缚的电子激发到导带的电离过程完全类似。 杂质能级 半导体中同时掺有受主和施主杂质，由于受主能级比施主能级低得多，施主能级上的电子首先要去填充受主能级，使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力相互抵消而减弱，称为杂质补偿。 此时半导体的类型由浓度较大的杂质决定。 载流子的统计分布 研究载流子分布的两个问题：状态密度和载流子占据这些状态的概率。 1.7.1 状态密度：单位体积中每单位能量间隔的有效电子状态的平均数目。 能带是无数个能级“压缩”而成的，而且能带是量子化的，所以在这个能量范围必然有一定数量的能级（轨道）存在。 载流子的统计分布 假设单位体积的导带电子状态数为NC，且都集中在导带底，则导带电子密度恰好为上述表达式，因此称NC为导带有效状态密度。 导带状态密度：1-7-4 价带状态密度：1-7-7 状态密度随能量的变化： 载流子的统计分布 1.7.2 费米分布函数与费米能级 热平衡状态下，一个能量为E的电子态被电子占据的概率为 称为费米分布函数。说明每个电子态被电子占据的概率随能量E变化 载流子的统计分布 K为波尔兹曼常数，T为绝对温度。室温下（300K）为。 EF为费米能级：被电子占据的概率为1/2 是反应电子在各个能级中分布情况的参数；费米能级高，说明电子占据高能级的概率大；费米能及是电子填充能级水平高低的标志 1.7 载流子的统计分布 费米能级随温度以及杂质的种类和多少的变化而变化；热平衡系统的费米能及恒定 相应的，能量为E的量子态未被电子占据，既被空穴占据的概率为 载流子的统计分布 对于E-EF》KT的能级， 对于E-EF《KT的能级， 称为经典的玻尔兹曼分布。 1.7.3 能带中电子和空穴的浓度 1、导带电子浓度 其中 称为导带有效状态密度 能带中电子和空穴的浓度 2、价带空穴浓度 其中 称为价带有效状态密度 能带中电子和空穴的浓度 导带电子浓度和价带空穴浓度之积 式中Eg为禁带宽度。与温度有关，可以把它写成经验关系式 其中 为禁带宽度温度系数，Eg0为0K时的Eg值。 能带中电子和空穴的浓度 化简后得到 其中K1为常数 结论：在温度已知的半导体中，热平衡情况下，np之积只与状态密度和禁带宽度有关，而与杂质浓度和费米能级的位置无关。 本征半导体 本征半导体：没有杂质和缺陷的半导体。 未激发时，价电子全部位于价带。 本征激发：温度升高时，价电子冲破共价键束缚到达导带。 电子-空穴对：n=p，称为电中性条件。 得到本征费米能级，近似为禁带中央能量，称为Ei。 本征半导体 本征载流子浓度ni和pi： 称为质量作用定律。在非本征半导体情况下同样适用。在热平衡情况下，已知ni和一种载流子的浓度，可以求得另外一种载流子的浓度 本征半导体 也可以把电子和空穴浓度写成下面的形式： 1-7-14和1-7-17比1-7-28和1-7-29更常用。 只有一种杂质的半导体 1、N型半导体 载流子的来源包含两个过程：本征激发和杂质电离 在低温条件下：杂质电离为主 在高温条件下：本征激发为主 杂质饱和电离：杂质基本上全部电离，而本征激发可以忽略。 只有一种杂质的半导体 在杂质饱和电离的温度范围内，导带电子浓度等于施主浓度 价带空穴的浓度为 载流子浓度关系：电子浓度与施主浓度近似，远大于本征载流子浓度，空穴浓度远小于本征载流子浓度。 只有一种杂质的半导体 N型半导体：导带电子为多子，价带空穴为少子。两种载流子的浓度相差非常悬殊 N型半导体在饱和电离下的费米能级 结论：N型半导体费米能级位于导带底之下，本征费米能级之上，且施主浓度越高，越靠近导带底；温度升高，费米能级远离导带底。 只有一种杂质的半导体 2、P型半导体 在杂质饱和电离的温度范围内有： 导带电子浓度为： 费米能级为 只有一种杂质的半导体 结论：对于P型半导体，在杂质饱和电离温度范围之内，费米能级位于价带顶之上，本征费米能级之下。随着掺杂浓度提高，费米能级接近价带顶；随着温度升高，费米能级远离价带顶。 温度对费米能级的影响：随着温度的升高，载流子的分布越来越接近于本征激发的情况，使得费米能级越来越接近本征费米能级。 杂质补偿半导体 前提条件：杂质全部电离。 在