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10.1 半导体的光学常数 二、反射系数和透射系数 反射系数R 透射系数T 光透过厚度为d的样品时，透射系数和反射系数、吸收系数的关系 §10.2 半导体的光吸收 一、本征吸收 二、直接跃迁和间接跃迁 三、激子吸收 四、自由载流子的吸收 五、杂质吸收 §10.2 半导体的光吸收 当一定波长的光照射半导体时，若 则价带电子吸收光子跃迁到导带。这种电子由带与带之间的跃迁所形成的吸收过程，称为本征吸收。 本征吸收发生的条件： 一、本征吸收 即：光子的频率下限 当 才能发生本征吸收 光子的波长上限 当 才能发生本征吸收 例如：Si Eg=1.12eV λ0 GaAs Eg=1.43eV λ0 CdS Eg=2.42eV λ0 §10.2 半导体的光吸收 光谱与波长和禁带宽度之间的关系 §10.2 半导体的光吸收 二、直接跃迁和间接跃迁 1、直接跃迁 电子与光子的相互作用过程中，满足： 能量守恒： 动量守恒： §10.2 半导体的光吸收 电子吸收光子产生跃迁时波矢保持不变——电子跃迁的选择定则 本征吸收为一连续的吸收带 §10.2 半导体的光吸收 几种半导体材料的吸收系数与波长的关系 10.2 半导体的光吸收 既有电子与光子的相互作用，同时还有电子和声子的相互作用，其发生的概率比直接跃迁发生的概率小 能量守恒： 动量守恒： §10.2 半导体的光吸收 Ep代表声子能量， 代表声子的波矢，“+”表示吸收声子，“-”表示发射声子。 理论分析得到： 时，吸收声子和发射声子的跃迁均可发生 §10.2 半导体的光吸收 时， 只能发生吸收声子的过程 当 时，跃迁不能发生，α=0 §10.2 半导体的光吸收 间接吸收：α：1～103/cm, 直接吸收： α：104～106/cm 研究半导体的本征光吸收，不仅可以获得Eg还有助于了解能带的复杂结构，也可以作为区分直接带隙和间接带隙半导体的重要依据。 §10.2 半导体的光吸收 三. 激子的吸收 激子：半导体中相互束缚而结合在一起的一对电子-空穴对，这一系统称为激子。激子在晶体中某一部位产生后，并不停留在该处，可以在整个晶体中运动。但由于它作为一个整体是电中性的，因此不形成电流。激子是一对束缚的电子-空穴对，类似于氢原子。 §10.2 半导体的光吸收 激子形成一系列的能级 §10.2 半导体的光吸收 电子和空穴的折合质量 激子吸收：光子能量hvEg时，价带电子受激发后虽然跃出了价带，但还不足以进入导带而形成自由电子，仍然受到空穴的库仑场作用，受激的电子-空穴形成束缚在一起的激子。 激子可以在半导体中运动，但不形成电流。激子在运动过程中可以通过两种途径消失，一种通过热激发成为自由的电子-空穴，另一种电子-空穴复合。 §10.2 半导体的光吸收 自由载流子在同一带内的跃迁所引起的，称为自由载流子的吸收。满足： 能量守恒： 动量守恒： §10.2 半导体的光吸收 同时伴随有声子的吸收和发射过程。 在P区半导体中，价带有三个带，可观察到三条吸收谱线，吸收谱线的精细结构研究半导体有重要意义，是确定价带具有重叠结构的重要依据。 §10.2 半导体的光吸收 束缚在杂质能级上的电子、空穴也能引起光的吸收。 束缚态的电子不具有准动量。 §10.2 半导体的光吸收 §10.3 半导体的光电导 半导体被光照射之后，产生非平衡过剩载流子，载流子浓度增加使半导体电导率增大。 由光照引起半导体电导率增加的现象称为光电导。 * * - * - 半导体生产运营计划 店店旺营销软件站 目录 二、品质方面 十二、基础管理规划 十一、TOC即约束管理 十三、需相关部门配合事宜 四、产量方面 五、现场5S执行管理 六、工艺执行管理 七、现场秩序管理 八、管理及项目方面 九、培训方面 十、生产管理制度编制 三、产品合格率控制管理 一、工业安全目标 - * - 一、工业安全及环保工作目标 本年度目标零安全事故 每日宣传安全第一思想做到人人爱安全 - * - 二、品质方面 产品达成