半导体物理半导体中的电子状态.pptVIP

计算公式总结 1.半导体中E(k)与k的关系 （能带极值附近） 2.半导体中电子的平均速度 （能带极值附近） 3.半导体中电子的加速度 （能带极值附近） 4.空穴－－－ 正电荷＋q和正有效质量 作业－P43 习题1 习题2 半导体物理基础知识 前言 太阳能的利用 1、太阳能热的利用，如太阳能热水器、太阳能热水发电。 2、太阳能直接发电即光伏技术。 光伏产业链包括硅料、硅片、电池片、电池组件、应用系统五个环节。上游为硅料、硅片环节；中游为电池片、电池组件环节；下游为应用系统环节。 前言 硅料 单晶硅棒 切方 单晶硅片 应用系统 组件 单晶电池片 光伏产业链 导体，绝缘体和半导体 物体的导电能力，一般用材料电阻率的大小来衡量。电阻率越大，说明这种材料的导电能力越弱。下表给出以电阻率来区分导体，绝缘体和半导体的大致范围。 ≥1010 10-4~1010 ≤10-4 Ω· CM 绝缘体 半导体 导体 物体 电阻率 半导体材料硅的晶体结构 组成物质的最基本的单元是原子，原子又由原子核和电子组成。 原子最外层的电子称为价电子，有几个价电子就称它为几族元素。 若原子失去一个电子，称这个原子为正离子，若原子得到一个电子，则成为一个带负电的负离子。 原子变成离子的过程称为电离。 半导体材料硅的晶体结构 几种常见半导体元素的原子结构 硅太阳电池生产中常用的硅(Si)，磷(P)，硼(B)元素的原子结构模型如下图所示 第三层4个电子 第二层8个电子 第一层2个电子 Si +14 P +15 B +5 最外层5个电子 最外层3个电子 Si P B 半导体材料硅的晶体结构 晶体结构 固体可分为晶体和非晶体两大类。原子无规则排列所组成的物质为非晶体。而晶体则是由原子规则排列所组成的物质。晶体有确定的熔点，而非晶体没有确定熔点，加热时在某一温度范围内逐渐软化。 单晶和多晶 在整个晶体内，原子都是周期性的规则排列，称之为单晶。由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶。 半导体材料硅的晶体结构 硅晶体内的共价键 硅晶体的特点是原子之间靠共有电子对连接在一起。硅原子的4个价电子和它相邻的4个原子组成4对共有电子对。这种共有电子对就称为“共价键”。如下图所示。 当波矢k 确定时， E、p、υ，均有确定值 波矢k可以描述自由电子的运动状态 (2) 晶体中电子的运动 一维晶格： Schr?dinger Eq： 晶体中电子运动的基本方程式 布洛赫定理证明： 相似？ 晶体中的电子与自由电子的比较 波函数形式相似 振幅uk(x)作周期变化，以一个被调幅的平面波在晶体中传播。 空间几率不同。 自由电子： 几率相等，自由运动 晶体中电子： 周期性变化，电子共有化运动 分别反映了电子的空间自由运动及在晶体中的共有化运动， 其中外层电子共有化运动较强（准自由电子）。 布洛赫波函数的波矢与自由电子波函数中的一样，描述晶体中 电子共有化运动状态，不同波矢标志不同的共有化运动状态。 (3) 布里渊区与能带 求 解 晶体中电子运动的基本方程式 晶体周期性势场中电子E(k)和k 关系在k=nπ /a处能量不连续 (n为整数)，形成一系列允带 和禁带。而布里渊区对应于 不同的允带，禁带出现在边界上. 第一布里渊区： 第二布里渊区： 。。。。。。 0 k 能量也是晶格的周期性函数，k和k+n2π/a表示相同的态。考虑能量状态只要考虑第一区即可。常称这—区域为简约的布里渊区，这一区域内的波矢为简约波矢。E为k的多值函数。 E(k)与k的关系 简约布里渊区 E和k的关系 能 带 电子能量 0 k 0 k 允带出现布里渊区，禁带出现在布里渊区边界上，每一个布里渊区对应于一个能带，常考虑第一布里渊区（简约布里渊区），波矢为简约波矢。 E是k的多值函数，用En(k)标明是第几个能带。 对有限晶体而言，根据周期性边界条件，可以得出波矢只能取分立的数值，具有量子数的作用，描述晶体中共有化运动的量子状态。 对于边长为L的立方晶体 kx = 2 π nx/L (nx = 0, ±1, ±2, …) ky = 2 π ny/L (n