半导体激光器的原理.pptVIP

受激辐射在共振腔内来回反射时，也会因吸收、散射及反射面透射等损耗，不过，注入电流则会使有源区内的受激辐射不断增强，即使之获得增益。而损耗和增益的消长决定着最终能否有激光的发射。 我们把增益等于损耗时的注入电流密度称为阀值电流密度。 综上所述，半导体激光器要能正常工作必须具备以下3个基本条件： 1、通过高浓度参杂pn结的正向注入形成载流子分布发转，使受激辐射占优势 2、具有共振腔，以实现光量子放大 3、正向电流密度达到或者超过阀值，即增益至少等于损耗 半导体激光器发展历史 初期：半导体激光器是同质结型激光器，它是在一种材料上制作的pn结二极管在正向大电流注入下，电子不断地向p区注入，空穴不断地向n区注入.于是，在原来的pn结耗尽区内实现了载流子分布的反转，由于电子的迁移速度比空穴的迁移速度快，在有源区发生辐射、复合，发射出荧光，在一定的条件下发生激光，这是一种只能以脉冲形式工作的半导体激光器. 半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器，它是由两种不同带隙的半导体材料薄层，如GaAs,GaAlAs所组成，最先出现的是单异质结构激光器（1969年）.单异质结注入型激光是利用异质结提供的势垒（即空间电荷区化学势）把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内，以此来降低阀值电流密度，其数值比同质结激光器降低了一个数量级，但单异质结激光器仍不能在室温下连续工作. 20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器.另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器.在泵浦固体激光器等应用的推动下，高功率半导体激光器（连续输出功率在100W 以上，脉冲输出功率在5W以上，均可称之谓高功率半导体激光器）在20世纪90年代取得了突破性进展，其标志是半导体激光器的输出功率显著增加，国外千瓦级的高功率半导体激光器已经商品化，国内样品器件输出已达到600W，红外半导体激光器，接着是670nm红光半导体激光器大量进入应用，波长为650nm,635nm的问世，蓝绿光、蓝光半导体激光器的相继研制成功 ，半导体激光器由于体积小、重量轻、运转可靠、耗电少、效率高等优点广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔），军事领域,如激光制导跟踪、激光雷达、激光引信、光测距、激光通信电源、激光模拟武器等。 半导体激光器实际运用 半导体激光特性实验 实验目的 通过实验熟悉半导体激光器的光学特性 掌握半导体激光器耦合、准直等光路的调节 掌握WGD-6光学多道分析器的使用 半导体激光器的优点和应用 体积小，寿命长 其工作电压与集成电路兼容，因而可与之单片集成 可用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出 光通讯、光学唱片系统、光存储、光陀螺、激光打印、测距、光雷达、红外夜视仪、报警器 自发辐射 受激辐射 一般激光器 激光工作介质：气体、液体、固体、半导体------粒子数反转 激励源：泵浦、抽运 电激励：用气体放电的方法利用具有动能的电子激发介质原子 光激励：脉冲光源照射工作介质 热激励 化学激励 谐振腔：光学谐振腔—放大—雪崩 半导体激光器的基本结构 PN结在n型衬底生长p型层 材料：GaAs、InP P、N区欧姆接触，使激励电流能通过 有源区，厚度0.2微米，形成介质波导共振腔 半导体激光器 S120600661 任跃功 主要内容 第一章 半导体的基础知识 第二章 半导体激光器的原理 第三章 半导体激光器的发展、运用 第一章 半导体的基础知识 定义：在绝对零度时无任何导电能力，但其导电性随温度升高呈现总体上升趋势，且对光照等外部条件和材料的纯度与结构完整性（是否有缺陷）等内部条件十分敏感的物质。 （1） 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 （2） 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 （3）缺陷在半导体中往往会改变晶体的共价键环境，改变其导电能力 能带理论：对导体，半导体，绝缘体本质上科学区分的理论 晶体中的电子作共有化运动，所以电子不再属于某一个原子，而是属于整个晶体共有 晶体中原子间相互作用，导致能级分裂，由于原子数目巨大，所以分裂的能级非常密集，认为是准连续的，即形成能带 电子总是先填充低能级，0K时，价带中填满了电子，而导带中没有电子 在绝对零度时，半导体中的能带以一条特征能隙分界，其下的能带全部被电子占满，其上的能带全部空着，这条能隙就是禁带，紧邻其下的满电子因其中的电子全是价电子，称为价带，紧邻其上的空带因为在在非零温度下出现少量与金属中的自由电子相似的、可参与导电的电子，称为导带。这些电子有可能全部或者部分产生于价电子