《半导体分立器》.ppt

电工学2 电子技术;概 述;模拟信号：;第一章 半导体分立器件及其基本电路;;半导体的导电具有不同于其它物质的特点。; 1.本征半导体;硅和锗的共价键结构;+4;半导体的导电机理;3. 光敏性、热敏性，载流子的浓度越高。本征半导体的导电能力越强，这是半导体的一大特点。; 2.杂质半导体; 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。; 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。;;;二. PN结的单向导电性;PN 结外加上正向电压 (正向偏置);PN 结外加上反向电压 (反向偏置);PN结具有单向导电性定义;半导体二极管图片;一、基本结构; 二、伏安特性;三、主要参数; 指管子不被反向击穿所允许外加的电压。一般手册上给出的UDRM约为击穿电压的一半。 ;4.最大反向电流IRM：;四. 二极管的模型;2.恒压降模型.二极管在正向导通时，其管压降为恒定值，硅管的管压降约为0.6-0.7V，锗管的管压降约为0.2-0.3V。;D;二极管电路分析举例 ;电路如图，求：UAB;ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui;RL;;（4）稳定电流IZ;稳压二极管的稳压原理:;负载电阻 。;令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。;2. 发光二极管;3. 光电二极管;小结：;;B;B;B;1.4. 2 电流分配和放大原理;2. 各电极电流关系及电流放大作用;小结：;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;输入特性;UCE ?1V;2. 输出特性;IB=0;1.4.4 主要参数;例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。求：电流放大系数;2.集-基极反向截止(饱和)电流 ICBO;4. 集电极最大允许电流 ICM;ICUCE=PCM;5.复合三极管;;光电三极管和光电耦合器;;3、元件选择要使信号不失真地放大。;一 、基本放大电路的组成;一 、基本放大电路的组成;一、 基本放大电路的组成; 放大电路的分析;二、 共射放大电路的静态分析;IC;对交流输入信号为零，只有直流信号（VCC）;;（2）根据直流通道估算UCE、IC;例：用估算法计算静态工作点。;(二) 用图解法确定静态值;(二)用图解法???定静态值;UBE;结论：;结论：;符号规定;(一)三极管的微变等效电路(小信号模型分析法);rbe的量级从几百欧到几千欧。;(2) 输出回路;ube;;交流通路;;输入电阻的定义：;;所以：;动态分析图解法;小结：;静态分析：;交流通路;;iC;若Q设置过高，;若Q设置过低，;Q点上移饱和失真:;分压式(射极)偏置电路;;2.;3. 输入电阻大，输出电阻小。;耦合方式：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；光电耦合。;RB1;多级阻容耦合放大器的特点：;电子技术