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技术干货| 真空电镀工艺介绍及原材料的选择! 01 真空电镀工艺的流程 a) 加热蒸发过程 包括固相或液相转变为气相的过程，每种物质在不同的温度下有不同的饱和蒸气压。 b) 气化原子或分子在蒸发源与基片之间的运输过程 此过程中气化原子或分子与残余气体分子发生碰撞，其碰撞与蒸发原子或分子的平均自由程以及蒸发源 到基板距离有关。 c) 蒸发原子或分子在基片表面的沉积过程 即蒸汽的凝聚成核，核生长形成连续膜，为气相转变为固相的过程。 上述过程必须在空气稀薄的真空环境中（10-² ～1pa）进行，否则蒸发粒子将于空气分子碰撞，使膜污染 甚至形成氧化物，或者蒸发源氧化烧毁等。 02 真空电镀工艺细节 a) 金属膜的蒸镀 在金属薄膜层的制备上，多采用真空电镀法。当下比较通用的的金属膜层分别有铝、锡、铟、铟锡合 金、铬等。几种金属薄膜在应用上的差异主要表现在外观和导电性这两块上。 其中铟、锡、铟锡合金多用于电子产品，如手机、电脑边框和按，此类金属膜层不仅能赋予基材金属外 观还具有其他几种金属膜不具备的膜延展性。这两种金属活性较低不易导电，对电子类产品信号产生影 响较小也是其主要应用原因之一，所以通常我们也称之为不导电镀膜。铬金属膜外观黑亮，金属质感 强，并且具有较好的硬度因此受到一些装饰品和玩具制造者的青睐。 同其他几种金属膜相比应用最广泛的铝膜层，如制镜工业的以铝代银，集成电路中的铝刻蚀导线；聚酯 薄膜表面镀铝制作电容器；涤纶聚酯薄膜镀铝制作，防止紫外线照射软包装袋；以及我们日常生活中所 常见到的玩具、化妆品外包装及一些装饰品。 真空蒸镀铝薄膜既可选用间歇式蒸发真空镀膜，也可选用半连续式真空镀膜机。其蒸发源即可为电阻 源、电子束源，也可以选用感应加热式蒸发源，可依据蒸镀膜材的具体要求而定。 真空蒸发镀铝涂层的工艺参数，主要包括蒸镀室压力、沉积速率、基片温度、蒸发距离等。如果从膜片 基体上分布的均匀性上考虑，还应注意蒸发源对基片的相对位置及工件架的运动状态等因素。例如选用 电子束蒸发源进行铝层制备时，其典型的主要工艺参数可选用：镀膜室工作压力2.6*10-4Pa、蒸发速率 为2~2.5nm/s、基片温度20℃ ，蒸距为450mm、电子束电压为9kV ，电流为0.2A。 b) 合金膜的蒸镀 如前所述，为了保证合金膜在制备上使合金模的成分与蒸镀前合金膜材的成分相一致，故可采用快速蒸 镀发（闪蒸镀）和双蒸发源或多蒸发源蒸镀法对合金膜材进行蒸镀。快速蒸镀法是把合金制成粉末或细 小的颗粒，然后，放入到可以保持高温的蒸发源中，使细小的颗粒通过加料器或滑槽所产生的震动将其 一个一个地送入到蒸发源中。其进料方式如下图所示： 合金膜的蒸镀 1- 基片；2-加料片；3-蒸发源；4-滑槽；5-震动轮；6-薄膜材料 为了保证细小颗粒的完全蒸发，选用较慢的蒸发速率和较均匀的送料速度是十分必要的。双蒸发源蒸镀 或多蒸发源蒸镀法适用于多种元素组成的合金膜，原则上可以将几种元素分别装入各自的蒸发源中，同 时加热并分别控制蒸发源的温度。也就是独立控制其蒸发速率，以便保证不改变合金膜的组分。因此， 使各源之间通过隔板防止各蒸发源中的膜材相互混入是非常重要的。 下图所示为两个蒸发源对合金膜材进行蒸发： 两个蒸发源对合金膜材进行蒸发的示意图 1- 基片；2 ，6-石英膜厚计3 ，5-蒸发源；4-阀板 c) 化合物膜的蒸镀 化合物薄膜的蒸镀方式，除了前面已经介绍的电阻加热法外，还有反应蒸镀法，三温度蒸镀法以及分子 束外延蒸镀法等。下面就反应蒸镀法和三温度蒸镀法做一简单的介绍。 1、反应蒸镀法 将活性气体引入到真空镀膜室通过活性气体的原子（分子）与蒸发源中蒸发出来的原子发生化学反应， 生成化合物涂层的方法，称为反应蒸镀法。反应即可在气态空间中，也可在基片表面上进行，也可以两 者兼有。其中以在基片上进行反应为主。反应的进行通常与反应气体的分压、蒸发温度、蒸发速度以及 基片温度等因素有关，所获得的涂层可以是金属合金，也可以是化合物。目前，这种方法已经广泛应用 于制备绝缘化合物膜层上。 例如在蒸镀Ti时，加入C2H2气体即可制备出TiC硬直膜，即： 2Ti+C2H2→2TiC+H2 若蒸镀时加入N2气体，则可生成TiN硬质膜层。即： 2Ti+N2→2TiN 另一个典型的例子，就是制备SiO2薄膜，如下图所示，它是在通常的真空蒸镀设备中引入O2。O2的引 入方法较多，一般多采用通过泄露阀引入空气的方法。但是需要准确地确定SiO2的组成时，就应当采用 从氧气瓶中引入O2或者选用图在坩埚中加入NA2O的粉末进行加热、分解产生的O2碰撞到基片上。这种 方法与双蒸源法的不同点