半导体器件物理_复习重点.pdf

第一章 PN 结 1.1 PN 结是怎么形成的？ 耗尽区：正因为空间电荷区内不存在任何可动的电荷， 所以该区也称为耗尽区。 空间电荷边缘存在多子浓度梯度，多数载流子便受到 了一个扩散力。在热平衡状态下，电场力与扩散力相 互平衡。 p 型半导体和 n 型半导体接触面形成 pn 结， p 区中有 大量空穴流向 n 区并留下负离子， n 区中有大量电子 流向 p 区并留下正离子 （这部分叫做载流子的扩散） ， 正负离子形成的电场叫做空间电荷区，正离子阻碍电 子流走，负离子阻碍空穴流走（这部分叫做载流子的 漂移），载流子的扩散与漂移达到动态平衡，所以 pn 结不加电压下呈电中性。 1.2 PN 结的能带图（平衡和偏压） 无外加偏压，处于热平衡状态下，费米能级处处相等 且恒定不变。 1.3 内建电势差计算 N 区导带电子试图进入 p 区导带时遇到了一个势垒， 这个势垒称为内建电势差。 V biFpFn kT ln N N a d e n 2 i 1.4 空间电荷区的宽度计算 1 / 2 (V 2 s bi V ) N N R a d W e N N a d Na xp Nd x n 1.5 PN 结电容的计算 N N 1/ 2 e s a d s C 2(V V )( N N ) bi R a d W 第二章 PN 结二极管 2.1 理想 PN 结电流模型是什么？ 势垒维持了热平衡。 反偏： n 区相对于 p 区电势为正，所以 n 区内的费米能 级低于 p 区内的费米能级，势垒变得更高，阻止了电子 与空穴的流动，因此 pn 结上基本没有电流流动。 正偏： p 区相对于 n 区电势为正，所以 p 区内的费米能 级低于 n 区内的费米能级，势垒变得更低，电场变低 了，所以电子与空穴不能分别滞留在 n 区与 p 区，所以 pn 结内就形成了一股由 n 区到 p 区的电子和 p 区到 n 区的空穴。电荷的流动在 pn 结内形成了一股电 流。 过剩少子电子：正偏电压降低了势垒，这样就使得 n 区内的多子可以穿过耗尽区而注入到 p 区内，注入的 电子增加了 p 区少子电子的浓度。 2.2 少数载流子分布（边界条件和近似分布） 2.3 理想 PN 结电流 eV a J J s exp 1 kT eD p eD n 2 1 D 1 D p n0 n p0 n p J s en i L p Ln