薄膜的屋里气相沉积.pptxVIP

薄膜的屋里气相沉积 溅射镀膜的特点 (1)关于任何待镀材料,只要能作成靶材,就可实 现溅射 (2)溅射所获得的薄膜与基片结合较好 (3)溅射所获得的薄膜纯度高,致密性好 (4)溅射工艺可重复性好,能够在大面积衬底上获得厚度均匀的薄膜 一、辉光放电的物理基础靶材是需要被溅射的物质,作为 阴极,相对作为阳极并接地的真空室处于一定的负电位辉光放电过程中,将产生Ar离子,阴极材料原子,二次电子,光子等 直流溅射趁机装置的制图 4、2 物质的溅射现象合金的溅射和沉积: 溅射法的优点所制备的薄膜的化学成分与靶材基本一致。自动补偿效应:溅射产额高的物质差不多贫化,溅射速率下降,而溅射产额低的物质得到富集,溅射速率上升。 一、直流溅射装置及特性溅射气压1、3-13Pa,太低和太高都不利于薄膜的形成。阴-阳极距离适中,大约为阴极暗区的2倍溅射电压1-5KV。靶材必须为金属。为保证薄膜的均匀性,阴极平面面积大约为衬底的2倍。 一、直流溅射装置及特性工作原理:当加上直流电压后,辉光放电开始,正离子打击靶面,靶材表面的中性原子溅射出,这些原子沉积在衬底上形成薄膜。在离子轰击靶材的同时,也有大量二次电子从阴极靶发射出来,被电场加速向衬底运动,在运动过程中,与气体原子碰撞又产生更多的离子,更多的离子轰击靶材又释放出更多的电子,从而使辉光放电达到自持。 一、直流溅射装置及特性气体压强太低或阴-阳极距离太短,二次电子达到阳极之前不能有足够多的离化碰撞发生。反之所产生的离子会因非弹性碰撞而减速,打击靶材时可不能产生足够的二次电子。另外溅射出来的靶材原子在飞向衬底的过程中将会受到过多散射,在衬底上的沉积速率反而下降。直流溅射若要保持一定的溅射速率,就必须一定的工作电流,要求靶材为金属靶。若是导电性差的靶材,在离子轰击过程中,正电荷便会积累在靶材表面。 二、射频溅射装置及特性射频电源的频率13、56MHz射频溅射电压1-2KV射频溅射系统需要在电源与放电室间配备阻抗匹配网。在射频溅射系统中,衬底接地,以幸免不希望的射频电压在衬底表面出现。靶材能够是绝缘体、金属、半导体等。 二、射频溅射装置及特性工作原理在射频溅射系统中,射频电势加在位于绝缘靶下面的金属电极上,在射频电场作用下,在两电极间振荡运动的电子具有足够高的能量产生离化碰撞,从而使放电达到自持,阴极溅射的二次电子不再重要。由于电子比离子具有较高的迁移率,相关于负半周期,正半周期内将有更多的电子到达绝缘靶表面,而靶变成负的自偏压。它将在表面附近排斥电子,吸引正离子,使离子轰击靶,产生溅射。 二、射频溅射装置及特性电源与电极间有电容存在,隔绝电荷流通的路径,自发产生负的自偏压的过程与靶材是绝缘体和金属无关。射频电压周期性地改变每个电极的电位,因而每个电极都估计因自偏压效应而受到离子轰击。实际解决的方法将样品台和真空室接地,形成一个面积特别大的电极,降低该极的自偏压鞘层电压。 三、磁控溅射装置及特性磁场的作用使电子不再做平行直线运动,而是围绕磁力线做螺旋运动,这就意味着电子的运动路径由于磁场的作用而大幅度地增加,从而有效地提高了气体的离化效率和薄膜的沉积速率。 磁控溅射比直流和射频溅射的沉积速率高特别多。原因: 1、磁场中电子的电离效率提高 2、在较低气压下(0、1Pa)溅射原子被散射的几率减小 提高了入射到衬底上的原子的能量,从而提高薄膜 的质量。 三、磁控溅射装置及特性 三、磁控溅射装置及特性 三、磁控溅射装置及特性 4、3 溅射沉积装置四、反应溅射装置及特性 在存在反应气体的情况下,溅射靶材时,靶材料与反应气体反应形成化合物,这种在沉积的同时形成化合物的溅射称为反应溅射。 利用化合物直接作为靶材溅射生长薄膜时,估计薄膜与靶材的成分偏离,如制备氧化物薄膜时,会造成氧含量偏低,这时可在溅射气体中通入适量的氧气。 四、反应溅射装置及特性 四、反应溅射装置及特性 四、反应溅射装置及特性采纳纯金属作为靶材,通入不同的反应气体,沉积不同的薄膜。如:氧化物:ZnO,Al2O3,SiO2, In2O3,SnO2等(反应气体O2)碳化物:SiC, WC,TiC等(反应气体CH4)氮化物:BN,FeN TiN,AlN,Si3N4等(反应气体N2)硫化物:CdS,ZnS,CuS等(反应气体H2S)化合物:Ti-Si-N, Fe-B-Si, YBa2Cu3O7 4、3 溅射沉积装置五、偏压溅射装置及特性 偏压溅射是在一般溅射的基础上,在衬底与靶材间加一定的偏压,以改变入射离子能量和离子数,达到改善薄膜的结构和性能。如图所示,改变偏压可改变Ta薄膜的电阻率。