安徽大学《材料科学基础》课件-第2章材料的凝固.pptVIP

②晶体长大机制 光滑界面－二维晶核长大机制 　首先在界面上以均匀形核方式形成二维晶核（薄层状晶核），然后液相原子沿着二维晶核侧边所形成的台阶不断地连接上去，使此薄层扩展而铺满整个表面，完成一层晶体的生长。接着又在新的界面上再生成二维晶核，继续长满一层，如此反复进行。 第二章 材料的凝固－§2.3 金属结晶的原理 二维晶核长大机制 　以二维晶核长大机制进行的晶体生长速度十分缓慢。 光滑界面－螺型位错长大机制 　在界面上存在的晶体缺陷，如螺型位错露头，液相原子容易朝上面堆砌，能使晶体连续生长，界面呈螺旋面而形成不会消失的台阶，每铺一层原子，台阶即向前移动一个原子间距。 第二章 材料的凝固－§2.3 金属结晶的原理 螺型位错长大机制 螺旋长大的SiC晶体 　以螺型位错等晶体缺陷长大机制进行的晶体生长速度较二维平面晶核长大机制进行的大为加快，但仍然很慢。 粗糙界面－垂直长大机制 　在界面上约有一半的原子位置空着，液相原子可以进入这些位置与晶体结合起来，晶体便连续地向液相中生长。 第二章 材料的凝固－§2.3 金属结晶的原理 晶体生长方向 界面 垂直长大机制 　上述空着的原子位置在接纳原子的能力上是等效的，因此粗糙界面上的所有位置都是生长位置，都可以使液相原子连续地添加进来，所以界面永远都是粗糙界面。 　以垂直长大机制进行的晶体生长速度很快，其生长线速度与过冷度成正比，且在很小的过冷度下，就能获得较大的生长速率。 　大部分金属的晶体以垂直长大方式生长。 ③固－液界面前沿液相中的温度梯度 正温度梯度（Positive Gradient） 　界面前沿液相的温度随离界面距离的增大而升高的温度分布状况。 　液相的温度呈正温度梯度分布时，界面前沿液相中的过冷度随离界面距离的增加而减小。 负温度梯度（Negative Gradient） 　界面前沿液相的温度随离界面距离的增大而降低的温度分布状况。 　液相的温度呈负温度梯度分布时，界面前沿液相中的过冷度随离界面距离的增加而增大。　 第二章 材料的凝固－§2.3 金属结晶的原理 正温度梯度分布 负温度梯度分布 ④晶体生长的界面形状－晶体形态 在正的温度梯度下生长的界面形态 　固－液界面以接近平面状向前推移，其推移速度受固相传热速度控制。 第二章 材料的凝固－§2.3 金属结晶的原理 光滑界面的情况 　生长形态呈台阶状，组成台阶的小平面与Tm等温线交有一定的角度，从宏观上看界面与Tm等温线平行。晶体具有规则的外形。 　光滑界面台阶状生长时所需的过冷度较大，约1～2?C。 粗糙界面的情况 　生长形态呈平面状，界面与Tm等温线平行。 　粗糙界面平面状生长时所需的过冷度很小，估计为0.01～0.05?C。 光滑界面 粗糙界面 在正温度梯度下纯金属凝固时的两种界面形态 在负的温度梯度下生长的界面形态 　固－液界面以树枝状生长，其推移速度不受固相传热速度控制。 第二章 材料的凝固－§2.3 金属结晶的原理 晶体的树枝状生长(Dendritic Growth)： 　犹如树的生长一样，晶核在长大时，首先生长成树干（一次晶轴），然后树干上长出树枝（二次晶轴），随后，树枝还可以长出更小的树枝（三次晶轴），依次类推，直至树枝间被填满，液体完全消失，结晶过程结束。 　按树枝状生长的晶粒称为树枝晶，简称枝晶（Dendrite）。 　若枝晶在三维空间均衡生长，各方向的一次晶轴近似相等，这样形成的晶粒就是等轴晶粒；若 枝晶在某一方向优先生长，而在其他方向长大受阻，这样形成的晶粒就是柱状晶粒。 　晶体的树枝状生长是具有粗糙界面物质的最常见的晶体生长方式，一般金属凝固时，均按此方式长大。 一次晶轴 二次晶轴 晶体的树枝状生长 第二章　材料的凝固 Chapter 2 Solidification of Materials 主要内容： 液态金属的性质和结构 纯金属的结晶过程 金属结晶的原理 金属铸锭组织与缺陷 安徽大学《材料科学基础》 　新材料的发展，不仅与对材料的成分—结构—性能的研究有着密切的关系，还与其制备方法和过程有着直接的联系。 　材料的制备过程对其力学性能、物理和化学性能都会产生较大的影响。了解材料制备的基本过程，掌握材料制备的基本理论、技术和工艺方法，对于材料的选用，进一步提升其使用性能有着重要的意义。 　制备材料的典型工艺过程： 金属材料：凝固 陶瓷材料：烧结 聚合物：反应合成 　凝固与结晶： 凝固（Solidification） 物质从液态转变为固态的过程。 结晶（Crystallization） 　 晶体物质由液态转变成晶态固体的过程。 　　 结晶是凝固的一种形式。 第二章 材料的凝固 第二章 材料的凝固－§2.1 液态金属的性质和结构 第一节　液态金属的性质和结构