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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构的制作方法的具体步骤包含：在一基底上形成一浮置栅与一逻辑栅、在该浮置栅的两侧分别形成第一源极与第一漏极、在形成该第一源极与该第一漏极后，在该基底、该浮置栅、以及该逻辑栅上依序形成一耦合介电层与一多晶硅层、图案化该多晶硅层，以形成覆盖该浮置栅的控制栅、以及在形成该控制栅后，在该逻辑栅的两侧形成轻掺杂漏极、第二源极、以及第二漏极。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113889479 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202010679056.X
(22)申请日 2020.07.15
(30)优先权数据
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