原创力文档- 4
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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明公开一种半导体制作工艺，其包括第一供力步骤及第二供力步骤。第一供力步骤是对供应至晶片的晶片表面上的清洗液提供第一固定离心力。第二供力步骤是对供应至晶片表面上的清洗液提供第二固定离心力。第二供力步骤是在第一供力步骤之后。第二固定离心力是大于第一固定离心力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113889397 A
(43)申请公布日
2022.01.04
(21)申请号 20201
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