半导体失效分析样品的制备方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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半导体失效分析样品的制备方法.pdf

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本发明提供一种半导体失效分析样品的制备方法，其包括如下步骤：沿预设方向，在待分析样品的选定区域表面形成多个分裂点，所述分裂点呈一条直线排列；以所述分裂点所在直线为分裂线，分裂所述待分析样品，暴露出所述待分析样品的侧面截面，形成所述半导体失效分析样品。本发明在待分析样品表面形成分裂点，以所述分裂点为分裂起始处，进行分裂操作。采用本发明的制备方法能够制备出结构尺寸准确的失效分析样品，并且能够在低成本的前提下，提高制样成功率，且不会破坏样品。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114076697 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202010818018.8 (22)申请日 2020.08.14 (71)申请人长鑫存储技术有限公司