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- 2023-05-05 发布于四川
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STD芯片生产工艺,属于半导体技术领域。其特征是,将硅片分成两组处理,硅片A的磷扩散、硅片B的硼扩散同时进行,再将硅片A和硅片B进行键合,以缩短生产周期。本发明利用键合工艺将N‑区与P+区键合,可以达到N+区与P+区同步进行扩散工艺的目的,缩短了生产周期。经过实际生产,本发明的STD芯片生产工艺,生产周期在20天左右,较现有生产工艺,周期减少了十天,显著降低了生产成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300345 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111579230.4
(22)申请日 2021.12.22
(71)申请人 江苏汀普微电子有限公司
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