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技术——工艺4半导体工艺梁庭;作业一;作业二;MEMS工艺——半导体制造技术;;一、 掺杂;1.扩散;替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位： Ⅲ、Ⅴ族元素 一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层 间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙： Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级;第9页/共105页;扩散工艺主要参数;扩散的适用数学模型是Fick定律 式中： F 为掺入量 D 为扩散率 N 每单位体积中掺入浓度;扩散方式 液态源扩散：利用保护气体携带杂质蒸汽进入反应室，在高温下分解并与硅表面发生反应，产生杂质原子，杂质原子向硅内部扩散。 固态源扩散：固态源在高温下汽化、活化后与硅表面反应，杂质分子进入硅表面并向内部扩散。 ;第13页/共105页;扩散炉;第15页/共105页;工艺控制;2.离子注入;离子注入;离子注入系统的原理示意图;注入的离子在基底中的分布;根据Ruska(1987)，注入离子的浓度N（X）可遵循下面方程式;硅中常用掺杂剂的离子注入 ;第23页/共105页;;3、退火;普通热退火;二、表面薄膜技术;薄膜定义： “薄”——厚度很薄，一般尺度在亚微米到十微米左右 决定了其制备工艺控制精度 决定了其制造工艺的方法 决定了其必须附着于支撑 “膜”——在很大面积（整个表面）上连续分布，除非有意加工，不存在断裂不连续区域。“多孔薄膜”，有孔，但仍然连续;定义：硅与氧化剂反应生成二氧化硅。 原理：氧化剂被表面吸附，向膜中扩散，在二氧化硅和硅的接触界面反应生成新的二氧化硅，接触界面向深层逐步推进。;二氧化硅膜的性质（1）;二氧化硅膜的性质（2）;常压氧化技术;在硅基上产生二氧化硅最经济的方法就是热氧化。此工艺中的化学反应如下：;二氧化硅的热氧化设备;由颜色来确定氧化层厚度;氧化炉;2、化学气相淀积技术;常用CVD;CVD中的化学反应;化学气相淀积;特点:用于SiO2的淀积;应用情况;三种主要CVD工序的总结和比较;3.外延;微电子工业中有几种技术可用于外延沉积;MBE生长室的基本结构示意图;三、 光刻(Lithography);光刻（ Lithography ）;光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变;正胶：曝光后可溶 负胶：曝光后不可溶;光刻的整个生产过程;几种常见的光刻方法 接触式光刻：分辨率较高，容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上;三种光刻方式;光刻工艺介绍;光刻工艺过程;清洗设备;光刻工艺过程;第58页/共105页;光刻工艺过程;光刻工艺过程;在多次光刻中，套刻对准是实现多层结构的关键因素。;光刻机（ｋａｒｌＳｕｓｓ）;投影光刻机（Ultra　Ｓｔｅｐ１０００，１１００）;光刻工艺过程;显影台;光刻工艺过程;光刻工艺过程;光刻工艺过程;剥离工艺（Lift-Off）;第70页/共105页;第71页/共105页;第72页/共105页;第73页/共105页;四、 金属化：溅射和蒸发;1、蒸发;第76页/共105页;电子束蒸发;2、溅射;高频溅射;磁控溅射;平板型磁控溅射源示意图;真空蒸发与溅射成膜的比较;合金化;五、刻蚀;VLSL对图形转移的要求---保真度;VLSL对图形转移的要求---选择性;VLSL对图形转移的要求---均匀性;VLSL对图形转移的要求---均匀性;VLSL对图形转移的要求---清洁度;刻蚀方法--湿法刻蚀;刻蚀方法-- 干法刻蚀;物理性刻蚀;? 机理：利用等离子中的化学活性原子团与被刻蚀材料发生化学反应，从而实现刻蚀目的。由于刻蚀的核心还是化学反应，因而刻蚀效果与湿法腐蚀相近，各向异性较差，但选择性很好。 利用ICP技术，将等离子体密度加大，并加以较强的直流偏置，在刻蚀与钝化交替进行的步骤下，可以实现非常高深宽比的刻蚀。（BOSCH工艺）;物理化学性刻蚀;? 离子轰击的作用： 1.将被刻蚀材料表面的原子键破坏； 2.将再淀积于被刻蚀表面的产物或聚合物打掉;DRIE、ICP刻蚀工艺;六、 净化和清洗;清洗液;一般清洗技术;净化;七、键合、装配和封装;集成电路封装工艺流程;各种封装类型示意图;安全知识;感谢观看!