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- 2023-06-05 发布于四川
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在制造半导体器件的方法中，在限定有源区域的衬底中形成隔离结构，在隔离结构上方形成第一栅极结构，并且在与第一栅极结构相邻的有源区域上方形成第二栅极结构，形成覆盖层以覆盖第一栅极结构和位于第一栅极结构和第二栅极结构之间的有源区域的一部分，蚀刻第一栅极结构和第二栅极结构之间的未被覆盖层覆盖的有源区域以形成凹槽，并且在凹槽中形成外延半导体层。本申请的实施例还涉及半导体器件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750782 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011194636.6
(22)申请日 2020.10.30
(30)优先权数据
62/928,05
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