集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 6.3.1 CVD工艺方法.pptx

请先安装字体特殊字体双击安装安装后重启PPT主讲集成电路制造技术集成电路制造技术/某某某JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺第六章 化学气相淀积 CVD工艺方法CVD工艺方法JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 一、 CVD概述 CVD分类常压化学气相淀积(APCVD)低压化学气相淀积(LPCVD)低压化学气相淀积(LPCVD)等离子增强化学气相淀积(PECVD)等离子增强化学气相淀积(PECVD)金属有机物化学气相淀积(MOCVD)激光诱导化学气相淀积(LCVD)微波等离子体化学气相淀积(MWCVD) 二、 CVD工艺方法240-450℃2.1常压化学汽相淀积SiH4 + 2O2 → SiO2 + 2H2O常压化学气相淀积（atmospheric pressure CVD, APCVD）是最早出现的CVD，其淀积过程在大气压力下进行。目前在淀积较厚的介质薄膜，如二氧化硅薄膜时，仍被采用。特点：设备结构简单，淀积速率较快。但易发生气相反应、产生微粒污染，台阶覆盖性和均匀性比较差。连续供片APCVD设备示意图三、 CVD工艺方法APCVD设备三、 CVD工艺方法APCVD工艺控制 将工艺温度控制在气相质量输运限制区，薄膜淀积速率对反应剂浓度敏感，而对衬底温度波动不敏感。 在工艺过程中要精确控制反应剂成分、剂量及分布的均匀性。一种新型APCVD的进气喷嘴二、 CVD工艺方法2.2低压化学气相淀积 气缺效应：指一端进气，沿气流方向反应剂不断消耗，淀积膜厚不均现象。低压化学气相淀积（Low Pressure CVD）与APCVD相比增加了真空系统，气压在1~100Pa之间调节，是淀积多晶硅、氮化硅、二氧化硅、PSG、BPSG、W的常用方法。可竖立密集摆放衬底，采用电阻器加热，生产效率高，经济。但是工艺温度较高，也会有颗粒污染，有气缺现象。二、 CVD工艺方法LPCVD工艺控制 主要是工艺温度，气体总压，各反应剂分压，气流速度及分布均匀性。另外，工艺卫生也很重要，如淀积之前应清理反应室颗粒物。 LPCVD通常将温度控制在表面化学反应控制区，薄膜淀积速率对温度波动非常敏感，而对反应剂浓度及分布均匀性不太敏感。 采取热壁式电阻加热器，易于控制温度，控温精度多在±0.5℃，能满足LPCVD对温度的精确控制。 气缺效应可通过沿气流方向逐步提高加热器温度，加快反应速度，从而提高淀积速率来消除。新式LPCVD设备通过合理设计分布式气体入口方法来解决。一、 概述一级标题二级标题2.2离子注入相关理论基础1. 核碰撞三级标题四级标题四级标题字体：正文中文：思源黑体 CN Medium思源黑体 CN Normal 英文： Times New RomanCambria Math 基础字号：28 备注：封面为了效果更突出，用了思源宋体，如果不需要可以直接更换为思源黑体即可色调：请老师确认模板中使用的元素是否符合需求可用使用