表面终端金刚石场效应晶体管的研究进展.docxVIP

DOI：10.20038/ki.mra.2023.000301材料研究与应用 2023，17（3）：367?380 DOI：10.20038/ki.mra.2023.000301 Materials Research and Application http：//mra. ijournals. cn Email：clyjyyy@gdinm. com 封面论文 表面终端金刚石场效应晶体管的研究进展 李志伸 ,罗鑫* （中山大学物理学院，广东 广州 510275） 摘要：金刚石因具有极高热导率 、5. 5 eV 宽带隙 、极高击穿电场 、高固有载流子迁 移率和低介电常数等优异性能 ，在高功率 、高频 、高温及低功率损耗电子器件领 域中成为有力的竞争者 。 然而 ，研究人员对金刚石半导体掺杂技术进行了几十 年的探索和优化 ，却仍然无法满足当前电子器件的应用需求 。 最近 ，随着 H 终端 金刚石表面二维空穴气的发现 ，研究重心逐渐转向优化 H 终端金刚石的导电特 性及制备场效应晶体管(Field Effect Transistor , FET)。 综述了 H 终端金刚石研 究的发展历程 ，从栅层材料选择 、表面终端处理 、金刚石掺杂和 FET 结构优化出 发 ，归 纳 了 提 升 表 面 终 端 金 刚 石 FET 器 件 性 能 的 方 法 ，并 对 表 面 终 端 金 刚 石 FET 的发展前景进行了总结和展望 。 关键词：金刚石；表面终端；场效应晶体管；器件优化 中图分类号：O469 文献标志码：A 文章编号：1673- 9981（2023）03- 0367- 14 引文格式：李志伸，罗鑫 . 表面终端金刚石场效应晶体管的研究进展［ J］. 材料研究与应用，2023，17（3）：367-380. LI Zhishen，LUO Xin. Research Progress of Surface Terminal Diamond Field Effect Transistors［ J］. Materials Research and Application，2023，17（3）：367-380. 金刚石不仅具有包括最高的硬度 、极高的热导 率 、达 5. 5 eV 的宽带隙 、极高的击穿电场和高固有 载流子迁移率等多种卓越性质［1-2］，同时还具有耐化 学腐蚀 、耐高温 、抗辐照能力强和表面稳定性高等优 点，因此它在大功率器件 、精密加工 、热管理 、量子传 感 、污水处理 、生物传感等领域得到了广泛应用［3-5］。 Si、第三代宽禁带半导体 SiC、GaN 和金刚石材料［1-2］ 的 基 本 参 数 和 Baliga 高 频 评 价 指 数［6］列 于 表 1。 由 表 1 可知：金刚石在下一代高功率 、高频 、高温及低 功率损耗电子器件中具有极为显著的优势 ，故其被 业界誉为“终极半导体”。 表 1 一些半导体与金刚石材料的本征性能 Table 1 Intrinsic properties of some semiconductors and diamond 半导体 材料 禁带宽度/ eV 饱和漂移速度/ (×107 cm ?s-1) 载流子迁移率/ (cm2?V-1?s-1) 击穿场强/ (MV?cm-1) 介电常数 导热率/ (W?mK-1) Baliga评 价指数 电子 空穴 电子 空穴 Si 1. 1 1. 1 0. 8 1 500 450 0. 3 11. 9 150 1 SiC 3. 2 1. 9 1. 2 1 000 120 2. 5 9. 66 490 58 GaN 3. 45 2. 5 - 1 500 200 5 8. 9 130 237 金刚石 5. 5 2. 5 1. 4 4 500 3 800 12 5. 7 2 200 12 000 几十年来 ，研究人员一直试图在各种电子设备 应用中实现金刚石的理想性能 。与大多数半导体材 料一样，金刚石材料必须进行杂质掺杂，以获得稳定 的高载流子浓度 ，但对金刚石进行 n 型掺杂的研究 收稿日期：2023-04-16 基金项目：广 东 省 基 础 与 应 用 基 础 研 究 基 金 会 - 杰 出 青 年 项 目（2021B1515020021）； 国 家 自 然 科 学 基 金 面 上 项 目 ；广东省磁电物性分析与器件重点实验室项目（2022B1212010008） 作者简