浸渍技术 液态浸渍成型法.docxVIP

浸渍技术液态浸渍成型法 这种方法适用于长纤维尤其是玻璃或玻璃陶瓷基复合材料，因为它的热压温度低于这些晶体 基体材料的熔点。陶瓷熔体的温度要比聚合物和金属的温度要高得多，这使得浸渍预制件相 当困难。陶瓷基体和增强材料之间在高温下发生反应，陶瓷集体与增强材料的热膨胀失配， 室温与加工温度相当大的温度区间以及陶瓷的应变失效都会增加陶瓷复合材料产生裂纹。因 此，用液态浸渍法制备陶瓷基复合材料，化学反应性、熔体粘度、熔体对增强材料的浸润性 是首先要考虑的问题，这些问题直接影响陶瓷基复合材料的性能。 由于任何形式的增强材料制成的预制体都具有网络空隙，而毛细作用陶瓷熔体可渗入这些孔 隙，因此，通过施加压力或者抽空有利于浸渍过程。 液态浸渍法也成功地应用于制备C/C复合材料、氧化铝纤维增强金属间化合物复合材料。 用液态浸渍法可以获得纤维定向排列、低空隙率、高强度的陶瓷基复合材料，而且过的的基 体比较密实。但是，由于陶瓷的熔点较高，熔体与增强材料之间会产生化学反应，基体与增 强材料的热膨胀系数相差大会由于收缩率的不同而产生裂纹。 化学气相浸渍(CVI)成型法 CVI法源于20世纪60年代，经过40多年，CVI法在制备连续纤维增强陶瓷基复合材料方面 已取得很大的进展，并已发展成为商业化的方法。CVI法是将反应物气体浸渍到多孔预制件 的内部，发生化学反应进行沉积，从而形成陶瓷基复合材料。总之，CVI过程是由传质过程 和化学反应过程组成。传质过程主要包括：反应物通过主流到达固体的表面，然后到达孔洞 的壁面，产生的副产物由壁面进入主气流。在此期间的化学反应非常复杂，其中可能涉及在 气相进行的均相发应和在固体壁面上进行的非均相反应，会产生很多中间产物，最后才能得 到所期望的沉积物。伴随着沉积条件的改变，CVI各个过程的相对速度也会发生相应的改变， 因为决定作用的过程不同，CVI过程产物的结构和沉积速度也不同因此可以就定CVI复合材 料的结构的差异。 CVI过程主要是将复合材料致密化。在一般沉积条件下，预制体的外部特征尺寸大于反应物 气体的平均自由程，而内部空洞的特征尺寸等于或小于反应物气体的平均自由程，这样就决 定了多孔预制体外部和内部所依赖的物质传输机制不同。外部为Fick扩散传质，而内部为 分子流扩散传质，因而传质速度与化学反应速度在预制体的不同位置而有所不同。原因可能 石外部处于化学反应的动力学控制范围，而内部处于传质控制范围，这样会使预制体内外的 沉积不同，外部沉积多而内部沉积少，而且还会造成内部孔洞的传质通道堵塞，出现“瓶颈 效应”，使复合材料存在严重密度梯度。 为了得到结构均匀的CVI复合材料，以及缩短复合材料的制备周期，在原始等温CVI技术的 基础上有发展了几类CVI技术。 1)等温CVI 等温CVI又称为“静态法”。它是将预制体置于等温的空间，反应物气体通过扩散渗入 到多孔预制件内，发生化学反应并沉积，而副产物气体在通过扩散向外溢出。在等温CVI 过程中，传质过程主要通过气体的扩散进行，因此，沉积过程要消耗很多时间，而且只 能用于薄壁部件。为了提高浸渍深度，一般通过降低气体的压力和沉积温度这俩种方法 来进行。沉积一段时间后，还需将部件进行表面加工处理，有利于提高复合材料的致度， 因为当预制体内孔隙尺寸小于1um时，很容易造成入口处沉积速度，从而导致孔隙封闭， 通过表面加工可使孔洞敞开。 等温CVI的优点：预制体的各个部分基本保持相同的温度，而且温度和压力相对较低； 对预制体形状要求，一次可以同时沉积多个部件；由于这种方法的工艺和设备简单，目 前被广泛采用。 等位CVI的缺点：工艺周期太长；如果要提高沉积速率，就必须提高沉积温度，就必须 沉积温度，但这又会造成孔洞外口封闭，在材料中形成大的密度梯度和较高的气孔率； 只适用于薄壁部件。 2）温度梯度CVI 温度梯度CVI是使预制体处于不均匀大的温度场中，一般使其外部温度较低，内部温度 较高，在工件中形成一个温度梯度。源于气体从工件外部向内渗透，外部温度低，沉积 慢，内部温度高，沉积快，这样就不容易发生传质通道的堵塞。随着沉积的进行，使复 合材料的致密度和热导率增加，从而使填充从高温区逐渐向低温区转移，直至预制体中 的孔隙被沉积物所填充。 温度梯度CVI使复合材料的密度梯度减小，结构均匀性变好。但设备结构复杂，需要专 用夹具；对形状复杂的部件不适用；一次只能制备一个部件，效率比较低。 2） 压力梯度CVI 压力梯度CVI就是使工件俩端保持一定的压力差，源于气体在压力差的作用下从工件的一段 到达另一端，气体先驱体在穿过工件的途中发生沉积反应。该技术可用来生产截面较厚、形 状简单而规整的部件。由于气体在压力差下流动，而工件等温，此技术又称为“等温强制流 动CVI”。它并没有完全避免出现表面橘皮状堵塞