中国石油大学(华东)《模拟电子技术》课件-第1章常用半导体器件图.pptVIP

图1.3.11 光电三极管的输出特性曲线 返回 暗电流 光电流 光 耦 Optical Coupler I D I C I C 电流增益 = ---- 1 I D I C VCE I D = 0 暗电流 I CEO LED Photo Transistor 1.4 场效应管 图1.4.1 结型场效应管的结构和符号 图1.4.2 N沟道结型场效应管的结构示意图 图1.4.3 uDS ＝0时uGS对导电沟道的控制作用 图1.4.4 UGS(off) uGS 0且uDS 0的情况 图1.4.5 场效应管的输出特性 图1.4.6 场效应管的转移特性曲线 图1.4.7 N沟道增强型MOS管结构示意图及增强型MOS的符号 图1.4.8 uDS ＝0时uGS对导电沟道的影响 图1.4.9 uGS为大于UGS(th)的某一值时 uDS对iD的影响 图1.4.10 N沟道增强型MOS管的特性曲线 图1.4.11 N沟道耗尽型MOS管结构示意图及符号 图1.4.12 N沟道增强型VMOS管的结构示意图 图1.4.13 场效应管的符号及特性 图1.4.14 例 1.4.1 输出特性曲线 图1.4.15 例 1.4.2 电路图 图1.4.16 例 1.4.3 电路图 返回 图1.4.1 结型场效应管 (JFET) 的结构和符号 漏D 源S 结构对称 单极型器件：仅多子导电。 电极引线与高掺杂半导体间可形成欧姆接触 (而非整流接触) 箭头表示 PN 结正方向 + + I D + + I D I D 图1.4.2 N沟道结型场效应管的结构示意图 返回 + - 栅源负偏压 直流高电位侧为漏 直流低电位侧为源 P P 图1.4.3 uDS ＝0 时，改变 uGS 对导电沟道的影响 uGS = UGS(off) 时沟道夹断 (截止电压) (a) 漏源电压 VDS 较低时：( VDS ? ? I D ? ) 栅漏电压 | VGD | 截止电压 | VGS(off) | ，漏极处反偏压较大，PN 结较厚。 (b) 漏源电压 VDS 恰使漏极处出现夹断： 栅漏电压 VGD = 截止电压 VGS(off) ； （若漏源反偏压较大，则较小漏源电压即可在漏极处出现夹断） (c) 漏源电压 VDS 较高时： ( VDS ? 对 I D 影响不大 ) 栅极与该点间电压 = 截止电压 VGS(off) ， 电子流从源极到达夹断点，在漏极高正电压吸引下穿过夹断区到达漏极。 UGS(off) uGS 0 时源极侧未夹断，uDS ? 时沟道情况： 图1.4.5 场效应管的漏极特性 （欧姆区） (截止区) 电压控制器件 ID UDS 夹断电压 UP IDSS UGS(off) = 图1.4.6 场效应管的转移特性曲线 返回 UGS(off) = - UP ID UGS 截止电压 场效应管三个工作区域 1、截止区：| UGS | | UGS(off) | = UP UGS 2、恒流区： ID = IDSS ( 1 – ---------- ) ID 只受 UGS 控制 UGS(off) (压控) UGS 3、欧姆区： ID IDSS ( 1 – ---------- ) RDS 受 UGS 控制 UGS(off) 2 2 图1.4.7 N沟道增强型MOS管结构示意图 及增强型MOS的符号 返回 N沟道增强型MOS场效应管工作原理 N+ N+ N 沟道 P VGS VT S G D B VDS =0 Al SiO2 N沟道增强型MOS场效应管工作原理 N+ N+ N 沟道 0 VDS P VGS VT S G D B VDS ↓ID VGD VT VDS =0 Al SiO2 VGD VT ID VDS N沟道增强型MOS场效应管工作原理 N+ N+ N 沟道 0 VDS P VGS VT S G D B VDS ↓ID VGD =VT VGD VT VDS =0 Al SiO2 VGD =VT VGD VT ID VDS N沟道增强型M