晶闸管整流电路.pptVIP

第二章 晶闸管整流电路主要内容2.1 不控型电力电子器件 —— 电力二极管2.2 半控型电力电子器件 —— 晶闸管2.3 单相可控整流电路2.4 三相可控整流电路 整流电路的分类：按组成的器件可分为不可控、半控、全控三种。按电路结构可分为桥式电路和零式电路。按交流输入相数分为单相电路和多相电路。按变压器二次侧电流的方向是单向或双向，又分为单拍电路和双拍电路。整流电路：出现最早的电力电子电路，将交流电变为直流电。引言 Power Diode结构和原理简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用。快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位。2.1 不可控器件—电力二极管·引言整流二极管及模块 基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号2.1.1 PN结与电力二极管的工作原理AKAKa)KAPNJb)c)AK 状态参数正向导通反向截止反向击穿电流正向大几乎为零反向大电压维持1V反向大反向大阻态低阻态高阻态——二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要特征。 PN结的反向击穿（两种形式)雪崩击穿齐纳击穿均可能导致热击穿2.1.1 PN结与电力二极管的工作原理 PN结的状态 主要指其伏安特性门槛电压UTO，正向电流IF开始明显增加所对应的电压。与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF 。承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。电力二极管的伏安特性2.1.2 电力二极管的静特性IOIFUTOUFU 2.2 半控器件—晶闸管1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。1958年商业化。开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） 晶闸管的外形、结构和电气图形符号a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号2.2.1 晶闸管的结构与工作原理外形有螺栓型和平板型两种封装。有三个联接端。螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 常用晶闸管的结构螺栓型晶闸管晶闸管模块平板型晶闸管外形及结构2.2.1 晶闸管的结构与工作原理 式中?1和?2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式可得 ：晶闸管的双晶体管模型及其工作原理a) 双晶体管模型 b) 工作原理 按晶体管的工作原理 ，得：2.2.1 晶闸管的结构与工作原理 2.2.1 晶闸管的结构与工作原理在低发射极电流下? 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。 2.2.1 晶闸管的结构与工作原理阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应阳极电压上升率du/dt过高结温较高光触发光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT）。只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。其他几种可能导通的情况： 2.2.2 晶闸管的静态特性承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。晶闸管正常工作时的特性总结如下： （1）正向特性IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。晶闸管本身的压降很小，在1V左右。晶闸管的伏安特性IG2IG1IG2.2.2 晶闸管的静态特性正向导通雪崩击穿O+UA-UAIAIHIG2IG1IG=0Ubo-IA 2.2.2 晶闸管的基本特性反向特性类似二极管的反向特性。反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。当反向电压达到反向击穿电