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高分辨x射线衍射技术研究aln单晶生长习性 1 光学和光电 aln是第三代直接带宽间隙半材料的代表。它具有带宽间隙、高临界穿刺空间、高热导率、高载流子饱和航行速度等特点。广泛应用于大气微器和紫外勘探。AlN在光电子领域的应用潜力也不容忽视。AlN作为GaN材料的衬底, 与目前广泛使用的SiC和宝石衬底相比, 具有晶格失配位错密度低、热导率高、热膨胀系数差别小等优点, 因而能大大提高GaN器件的性能和使用寿命 AlN晶体为六方对称的晶体结构, 具有多个不同的结晶惯习面 2 不同温度梯度对aln单晶生长的影响 在BN坩埚中采用升华法生长AlN单晶, 由中频电源加热。生长时, AlN粉末置于坩埚底部, 加热后升华, 然后在温度较低的BN坩埚上盖处结晶。生长过程中, 温度和温度梯度是非常重要的参数。虽然AlN粉料在1800~1900℃下就可以分解升华, 但是升华至坩埚顶部的原子只有在2000℃以上的高温条件下才会有序的扩散排列形成晶体。温度梯度影响生长速率, 通过改变坩埚相对于高温区的位置和改变原料至籽晶的距离来调节温度梯度, 得到合适的温场。 我们成功地在BN内坩埚上盖处获得了自发成核的AlN单晶。生长过程中, 生长室的压力控制在8×10 本文通过高分辨电子显微术结合高分辨X射线衍射研究技术对不同温度区间得到的不同形态的AlN单晶的结晶取向进行了分析。 3 微镜观察和热图分析 图1为在不同温度下获得不同形态的AlN单晶。在2000~2100℃时, 坩埚上盖和内壁处只有亮晶晶的细小晶粒。温度升至2100~2200℃时, 可获得无色透明的长针状单晶。温度再升至2200~2300℃, 可获得块状的AlN单晶, 最大面积为8mm×3mm。当温度继续升高超过2300℃, AlN单晶的形状又从块状变成短针状。 光学显微镜下观察图1 (a) 中的细小晶粒为规则六角形, 如图2 (a) 和 (b) , 表明在2000~2100℃时得到的AlN晶体的显露面为 (0001) 面。 2100~2200℃的温度下, BN坩埚中自发成核生长的AlN单晶是薄针状, 如图1 (b) , 有的针状晶体一端有一个较大的平面, 验证其为 (0001) 面 当生长温度升高到2200~2300℃, 可以生长出厘米级的块状单晶, 块状单晶的厚度方向经高分辨X射线衍射确定为[11 当温度继续升高超过2300℃, AlN单晶的形状从块状又变成针状, 与图1 (b) 针状晶体有所不同的是, 在平行于而不是垂直于针的长度方向存在一系列平行的沟槽, 而且针的长度较短。图5为该样品的电子衍射花样和对应的明场像。从电子衍射花样与样品的取向关系判断沟槽的方向平行于[0001]方向, 样品的膜面法向是[11 晶体生长形态是其内部结构的外在反应, 晶体的各个晶面间的相对生长速率决定了它的生长形态。一般来说, 晶体各晶面的生长速率是不同的, 其相对生长速度与其点阵点的面密度的大小成反比, 即点阵点的面密度越大的晶面其法向生长速度越慢。按照晶体生长的布拉维法则 4 aln晶体的晶体结构 通过高分辨电子显微镜结合高分辨X射线衍射仪对不同温度区间得到的不同形貌的AlN晶体进行了分析。在低温下, AlN单晶的显露面为 (0001) 面, 随着温度的升高, AlN单晶的显露面转化为 (11