SJT 10152-1991集成电路主要工艺设备术语.pdf

SJ中华人民共和国电子工业行业标准SJ/T 10152--91集成电路主要工艺设备术语1991-07-01实施1991-04-02发布中华人民共和国机械电子工业部发布 目次1材料制造设备术语(1)2制版设备术语...(4)3光刻设备术语(9)4掺杂设备术语(19)5薄膜淀积设备术语(22)6后工序设备术语(27)...?检测设备术语(30)附录 A汉语索引(35)附录B英文索引(50) 中华人民共和国电子工业行业标准集成电路主要工艺设备术语SJ/T10152—91Terms Relating to Main Equipment forIntegrated Circuit Technologies主题内容与适用范围本标准规定了半导体集成电路制造工序主要生产设备的有关术语及定义。本标准适用于半导体集成电路制造工序主要生产设备的研究、生产、使用、检验、教学和技术交流。1材料制造设备术语1.1单晶炉crystal growing furnace以高温熔化方法由原材料制备或提纯单质或化合物半导体单晶锭的设备。1.1.1直拉单晶炉Czochralskicrystal puller在适当的温度和工作气氛控制下，将特制的硅单晶籽晶与熔化于埚内的高纯多晶硅材料相接触，并在籽晶与的相对旋转中按一定速度垂直向上提拉籽晶，使硅熔体不断沿籽晶晶体取向结晶，直接拉制成单晶硅锭的设备。甘埚crucible由石英制成的供盛装和熔化炉料的容器。埚轴crucibleshaft用来连接埚，并带动其按一定速度升降、转动的部件。籽晶杆seedholder用来装卡籽晶，带动其按一定速度升降、转动，并提拉生长成的单晶锭的部件。籽晶行程seed travel籽晶杆带动籽晶在炉内提拉晶锭垂向移动的最大直线距离。直径自动控制系统automateddiametercontrol system利用红外成象方法对固一液界面的温度梯度进行监控，以实现晶锭直径恒定的自动控制装置。晶锭直径偏差ingotdiameterdeviation在晶锭的等径部分，沿同一侧母线方向直径的最大值与最小值之差。晶体取向crystalorientation又称晶向。半导体单晶体或晶片的晶格排列方向。1.1.2磁场直拉单晶炉magnetic Czochralski crystal puller1991-07-01实施中华人民共和国机械电子工业部1991-04-02批准1- SJ/T 10152-91外部设有电磁铁，以横向或纵向强磁场提高熔体运动粘滞性，抑制熔体对流和涡流的直拉单晶炉。1.1.3悬浮区熔单晶炉floatzonecrystalgrower在真空或隋性气体保护下，用移动的高频感应线圈对沿轴线垂立的多晶料棒进行自下而上的狭窄区段加热熔化，熔融材料依靠自身表面张力悬浮于原位，并在冷却的一端沿籽晶晶向结晶的过程中得到进一步提纯的硅单晶生长设备。1.1.4 电子束单晶炉 electron beam crystal grower又称电子束区域熔炼炉。用电子束轰击方法对多晶硅棒进行窄区段加热熔炼的悬浮区熔单晶炉。1.1.5液封直拉单晶炉liquidencapsulatedCzochralskicrystalpuller利用过压荫性气体及漂浮于熔体表面的液态封盖剂来维持合成条件，并阻止高蒸汽压元素挥发，以拉制GaAs或其它化合物单晶锭的直拉单晶炉。 工作压力 working pressure反应室内为维持GaAs的化学合成及单晶生长条件所充入的惰性气体压力。1.1.6高压单晶炉high pressure crystal puller反应室内隋性气体压力在2MPa以上的液封直拉单晶炉。1.1.7 中压单晶炉 medium pressure crystal puller反应室内隋性气体压力在0.5到2MPa之间的液封直拉单晶炉。1.1.8低压单晶炉lowpressurecrystalpuller反应室内惰性气体压力在0.3MPa左右的液封直拉单晶炉。1.1.9 水平区熔单晶炉horizontal Bridgman crystal grower以密封石英管维持合成和单晶生长条件，以矩形截面石英舟盛放As、Ga原料，当该石英反应管与窄区段加热炉按一定速度相对水平移动时，高温合成的GaAs熔体即在冷却的一侧沿籽晶晶向结晶，并得到进一步提纯的GaAs方晶生长设备。1.2 切片机 slicing machine将半导体单晶等脆硬棒材切割成适当厚度片材的设备。1.2.1内圆切片机 inner diameter saw利用内圆刃部镀有金钢石细粒的环形不锈钢体刀片，将半导体单晶、陶瓷等脆硬棒材切割成高精度薄片的设备。 主轴 spindle用以支承和装卡刀环和刀片，并带动其作高速、平稳旋转的零件。 刀环 chuck body固定在主轴