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碳化硅基本特性及碳化硅陶瓷烧结工艺 2015月01月26日发布 分类：粉体应用技术 点击量：111 6 碳化硅陶瓷材料具有高温强度大、高温抗氧化性强、耐磨损性能好、热稳定性佳、热膨 胀系数小、热导率大、硬度高、抗热震和耐化学腐蚀等优良特性，在汽车、机械化工、环境保 护、空间技术、信息电子、能源等领域有着日益广泛的应用，已经成为一种在很多工业领域 性能优异的其他材料不可替代的结构陶瓷。 现代国防、核能和空间技术以及汽车工业、海洋工程的迅速发展，对火箭燃烧室内衬、飞 机涡轮发动机叶片、核反应堆结构部件、高速气动轴承和机械密封零件等材料的要求愈来愈 高，迫切需要开发各种新型高性能结构材料。SiC陶瓷在石油化学工业中已被广泛地用作各种 耐腐蚀用容器及管道在机械工业中已被成功地用作各种轴承、切削刀具和机械密封部件在航天 和汽车工业中也被认为是未来制造燃气轮机、火箭喷嘴和发动机部件的最有希望的候选材料。 1、碳化硅的基本特性 化学属性 抗化合性：碳化硅材料在氧气中反应温度达到1300°C时，在其碳化硅品体表层已经生成 二氧化硅保护层。随着保护层的加厚，抵制了里面碳化硅继续被化合，这使碳化硅有较好的抗 化合性。当气温达到1900K(1627C)以上时，二氧化硅保护膜已经被破坏，碳化硅化合效应 加重，从而1900K是碳化硅在氧化剂氛围下的最高工作气温。 耐酸碱性：在耐酸、碱及化合物的效用方面，因为二氧化硅保护膜的效用，碳化硅的抗 酸能力非常非常强，抗碱性稍差。 物理性能 密度：各样碳化硅品形的颗粒密度十分相近，通常情况下，应该是3.20 g/mm3,其碳 化硅磨料的堆砌密度在1.2--1.6 g/mm3之间，其高矮取决于其粒度号、粒度合成和颗粒形 状的大小。 硬度：碳化硅的硬度为：莫氏9.5级。单晶硅的硬度为：莫氏7级。多晶硅的硬度为: 莫氏7级。都是硬度相对较高的物料。努普硬度为2670—2815公斤/毫米，在磨料中高于 刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。 导热率：碳化硅制品的导热率非常高，热膨胀参数小，抗热震性非常高，是优质的耐火 材料。 电学属性 恒温下工业碳化硅是一种半导体，属杂质导电性。高纯度碳化硅随着气温的升高内阻率 降低，含杂质碳化硅按照其含杂质不一样，导电性能也不一样。 其它属性 亲水性好。 众所周知，SiC是共价键很强的化合物。按照Pauling对电负性的计算，SiC中Si 一 C 键的离子性仅12%左右。因此,SiC的硬度高、弹性模量大，具有优良的耐磨损性能。值得指 出的是，SiC氧化时，表面形成的二氧化硅层会抑制氧的进一步扩散，因而，其氧化速率并不 高。在电性能方面，SiC具有半导体特性，少量杂质的引入会使其表现出良好的导电性：此外, SiC还具有优良的导热性。 2、碳化硅粉末的合成方法 SiC是在陨石中发现的，在地球上几乎不存在，因此，工业上应用的SiC粉末都是人工 合成的。目前，合成SiC粉末的方法主要有：Acheson法、直接化合法、热分解法和气相反 应法等。其中在实际工业生产中，最为普及的还是Acheson法。 Acheson法简介 Acheson法是工业采用最多的合成方法。a-SiC粉末的方法，即用电加热的方法将石英 砂和焦炭的混合物加热到2500°C左右的高温使其发生反应： SiO2 (s) + 3C(s) 一a-SiC (s) + 2CO(g) 在工业生产中，用于合成的石英砂和焦炭通常含有Al和Fe等金属杂质，因此，所得到的 SiC 一般都固溶有少量的杂质。其中，杂质含量少的呈绿色，被称为绿色碳化硅;杂质含量多的 呈黑色，被称为黑色碳化硅。 3、碳化硅陶瓷的烧结工艺 目前，制备高密度SiC陶瓷的方法主要有无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧 结等。通过无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的SiC部件，因此，被认为是SiC陶 瓷的最有的前途的烧结方法。采用热压烧结工艺只能制备简单形状的SiC部件，而且一次热 烧结过程所制备的产品数量很小，因而，不利于商业化生产。尽管热等静压工艺可以获得复杂 形状的SiC制品，但必须对素坯进行包封，所以，也很难实现工业化生产。通过反应烧结工 艺可以制备出复杂形状的SiC部件，而且其烧结温度较低，但是，反应烧结SiC陶瓷的高温 性能较差。表1给出了无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结中SiC陶瓷的某些性 能。显然，SiC陶瓷的性能因烧结法的不同而不同。一般来说，无压烧结SiC陶瓷的综合性能 优于反应烧结的SiC，但逊色于热压烧结和热等静压烧结的SiC。 ;■排丁艺 无压焜 热 热等降压 烧给 反应烧姑 抗弯强魔(npa) g 颂 640 580 140C1Z! SOO 导挫瘁■.W/ra ? K) iia S20 1阳 湖0七 4F 非 50 羽 7-ia 3-