半导体器件的llc变换器特性研究.docxVIP

半导体器件的llc变换器特性研究 1 sic与氮化 目前，基于传统硅（si）装置的充电机在重量、体积、噪声、隔离、电压表、安全、效率和功率密度等方面面临着重大挑战。近年来,以SiC和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料的出现突破了电力电子器件的瓶颈,将成为未来功率半导体器件市场的主导产品 通常使用的硬开关技术在电路电压或电流不为零的情况下对开关管进行开通和关断,这会导致电能损耗大幅度提高。而软开关技术则实现了电路在功率器件开通或关断前将电流或电压降低至零,这能够有效地降低开关损耗。因此,在高频、高效的应用背景下,软开关技术的研究获得了广泛关注 2 lc换换器的结构分析和参数设计 2.1 谐振频率的影响 图1为半桥LLC变换器的典型拓扑结构。该变换器主要由3部分组成:半桥逆变器、LLC串并联谐振电路和二极管整流及滤波电路。 对于由电容和电感组成的串联谐振网络而言,通常在谐振频率上呈现最小阻抗,离谐振频率越远,谐振电路的阻抗越高。串联谐振表达式为: 在串联谐振电路中,位于峰值电压增益点M 空载时,f 2.2 逆变网络输出电压的建模 图2为LLC变换器的电路等效模型,由于基波分析法常用于谐振变换器的设计,故采用谐波分析法对此进行分析。逆变网络的输出电压为谐振电路的输入电压u 傅里叶展开后的基波分量为: 由于谐振网络为线性,则输入电流与输入电压均为正弦波,故其大小为: 式中:I 对应的变压器初级电压的基波分量为: 因此,等效电阻R 简化后可得: 式中:I 对应的直流增益M为: 进行规范化后可得: 式中:f 输入电压和输出电压之间的关系为: 2.3 开关管zvs 在LLC变换器中,通过谐振电路可以为开关管V 图3给出了V 综上所述,要想实现LLC变换器中开关管的ZVS,在电压开始下降时电流仍为正,即谐振电流需要滞后于电压,此时要求输入阻抗Z 式中:Q 由式(12)可以看出,当φ 2.4 lc换换器的振兴电路参数设计 由上一节可知,在LLC变换器中,谐振电路参数(激磁电感L 2.4.1 开关频率的选择 目前,基于Si IGBT的变流器通常将开关频率设置为5～20 kHz,这是由于目前市场上Si IGBT自身的特性限制 采用SiC器件可以提升开关频率,但如果开关频率非常高,则需要考虑系统中的其他因素,例如开关管和元件的可用性以及相关的附加成本、磁芯损耗、电路板布局问题等。 因此,综合考虑上述因素将开关管从Si IGBT替换成SiC MOSFET模块,将LLC变换器的f 2.4.2 中压压比n的选择 通常,输入电压在最大值和最小值之间时,电压增益可设定为M=1,此时输入电压为额定值U 2.4.3 系数k和品质因数q的选择 峰值电压M 2.4.4 振幅参数的确定 假设LLC变换器的最大和最小输入电压分别为U R 谐振参数(C 最小电压增益对应的最大开关频率为: 同理,最大电压增益对应的最小开关频率为: LLC变换器设计参数:R 3 sic设备充电机平台验证 3.1 软开关验证 根据图1所示LLC充电机系统电路原理图,搭建充电机实验样机。选用的SiC MOSFET器件为1 200 V/300 A SiC器件。次级整流二极管采用SiC器件中的反并联二极管。图5～7分别为当f 由图5～7可见,当变换器的工作区域为f 3.2 各阶段充电电压 图8为蓄电池的恒流恒压充电波形,观察图中曲线可以看出,充电过程可分为3部分:①测试阶段(恒流充电前阶段):在该阶段内,负载电阻保持恒定值为0.5Ω,此时负载电流为20 A,充电电压为10 V;②恒流充电阶段:该阶段开始时,充电电压小于设定的指令值40 V,因此为恒流充电阶段,充电电流维持20 A恒定不变,充电电压随着负载电阻的增大逐渐上升,直至达到设定的指令值40 V时,该阶段结束,即将进入恒压充电阶段;③恒压充电阶段:在此阶段内,充电电压维持40 V恒定不变,此时充电电流随着负载电阻的增大而逐渐下降,直至负载电阻值不发生变化,此时充电电流趋于稳定。通过对全SiC充电机系统的效率进行了测试,在开关频率为38.4 kHz、输出轻载的情况下系统效率能够达到95.86%。 4 全sic器件的lc实验研究 SiC器件在轨道交通领域具有重要的意义,通过分析LLC变换器的原理,对LLC变换器进行了相关参数设计,并搭建了全SiC器件的LLC实验样机,经验证实现了软开关,实验达到了理想的效果,为SiC器件的LLC变换器在轨道交通应用中提供了理论分析和实验基础。