SJT 10049-19913DA1162型晶体管详细规范.pdf

SJ中华人民共和国电子工业行业标准SJ/T 10049---91电子元器件详细规范3DA 1162、1722、2688 型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管1991-04-08发布1991-07-01实施中华人民共和国机械电子工业部发布 中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范3DA1162型硅NPN高频放大管壳SJ/T 10049-91额定的双极型晶体管Detail specification for electronic componentsCase rated bipolar transistorfor silicon NPN high-frequency amplification for type 3DA1162本标准适用于3DA1162型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管，它是按照GB7576《高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》制订的，符合GB4936.1《半导体分立器件总规范》I类的要求。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施1 SJ/T 10049--91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的根据SJ/T10049-51GB 4936.1《半导体分立器件总规范》3DA1162型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管订货资料：见本规范第7章1机械说明2简略说明外形符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中F3-01A的要求半导体材料：siEA封装：塑封(非空腔）dP应用：功放电路质量评定类别31类40PR参考数据Prot = 0. 75W(Tamb= 25℃)5Prot ==10W(Tcase = 25C)1e = 2. 5ABVCBO=35VBiVCEO=35VLVEBO5VhFE=60~320fT≥40MHz0. 25@3Ql代号Fs01A符尺寸max|符minminnommaxnom1号A2. 32. 8L15. 316. 5B1.01. 2LI2. 54B10. 81. 0aP3. 03. 2b0. 650. 88$P;5.0c0. 450. 6Q3. 64. 4D10. 5[11. 1Q0. 91. 5E7. 27. 8R0. 52.29°e引出端识别：1.发射极2.集电极3.基极2 SJ/T 10049-914极限值（绝对最大额定值）除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用数值条文号参数名称符号单位最小值最大值150c4.1工作管壳温度Tese-554. 2-55150r贮存温度Tstg4.3集电极基极电压A最大集电极—基极直流电压Vcno354.4集电极发射极电压VVceo35最大集电极发射极直流电压4. 5发射极-—基极电压vVeBO5最大发射极基极直流电压A4. 6最大直流集电极电流2. 5Ic4.7耗散功率cTi150最高有效(等效)结温wPtot0. 75功率耗散的绝对极限值(Tamb=25 C)W10(Tcase=25C)5电特性数值特性和条件条文号符号单位试验类别除非另有规定，Tcase=25~最大值最小值！5. 1共发射极正向电流传输比静态值hre(1)A2bVcE2V,lc=0.5A蓝(B)60120紫(C)100200灰(D)1603205.2A3共发射极正向电流传输比静态值hre(2)20Vc=2V,lc=1.5AA(脉冲)fr5. 3C2b特征频率40MHzVcg=2V;lc=0.2A,f10MHz5. 4A2b截止电流Icwc(1)集电极一基极截止电流20μAVcB=35V集电极一发射极截止电流IcEO100μAVce 35V发射极一基极截止电流IeBo20μAVe= 5VIcro(2)5. 5高温截止电流100C2bμA集电极一基极截止电流VeB = 25V,Tcase= 100℃-3- SJ/T 10049--91续表数值特性和条件条文号符号单位试验类别除非另有规定，Tcase=25℃最小值最大值VA35. 6集电极一发射极饱和电压VcE(at)1.0Ic2A;I-0. 2AVBEV基极一发射极电压1. 5Vce=2V;Ic1. 5A(脉冲)5.11℃/WC2d结一壳间的热阻Rth(j-c)12.56 标志6.1器件上的标志a.产品型号：3DA1162；b.hFe分档标志；c.质量评定类别标志，放在型号标志后面；d.检验批的识别代号。6.2包装盒上的标志a.重复器件上的标志；b.标上《怕湿》等注意标记。7定货资料定货单上应有下列内容a.准确的型号;b.hFE分档色标；c.本规范编号d.其他。8试验条件和检验要求本章中，除非另有规定，引用的条文号对应于GB4936.1、GB4937《半导体分立器件机械和气候试验方法》和GB4938《半导体分立器件接收和可靠性》的条文号，测试方法引自GB 4936