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陶瓷电子材料的介电性能
不断降低介质上的稳定性
ba-tio3陶瓷以其良好的铁电、电压和绝缘电阻性能而闻名于体积小、容量大的微型电动汽车、电子记忆元件、热光敏电阻等装置材料。近年来,材料研究行业越来越受到重视。Ba Ti O3的工作温度在-55~+1 25℃之间,且其居里温度也在此温度范围附近,介电常数值虽高但表现不稳定。为了使Ba Ti O3作为电容器材料,因此有必要降低它的居里温度,稳定随温度变化的电容值。文献指出掺杂改性是获得高介电常数最为有效的途径之一。加入低介电常数的轻稀土氧化物,能使其介电常数在较宽温度范围内保持稳定,同时还能减小电容温度系数偏差,提高了电容器的寿命。
N b2O5是进行研究的最早的掺杂剂之一。它加入到钛酸钡基组分的最大优点是它对居里点的控制作用非常强。基于目前存在的介电常数在工作区域的不稳定变化问题,解决的办法是通过改性的方式,该文主要讨论了Nb2O5的掺杂改性对Ba TiO3陶瓷介电性能的影响,同时也简单叙述了N b2O5在多层陶瓷电容器制备领域的应用和重要性。
1 不完全精炼方法
综合目前的研究,Ba TiO3陶瓷的改性方法分为两类:置换改性和掺杂改性。
1.1 对batio3基陶瓷材料的温度稳定性的影响
置换改性的定义是指一类物质能大量溶解于BaTiO3并与相应的离子发生置换,形成了BaTiO3基固溶体,从而改善了Ba TiO3基陶瓷的介电性。能够置换必须具备的条件是:电价首先要相同,此外离子半径与极化性能相近的离子才能大量进行置换。例如C a2+对B a Ti O3陶瓷的置换改性,只使居里温度稍微降低,但使四方与斜方相变温度以及斜方和三方相变温度降低了很多。由此,加宽了居里温度到四方和斜方相变温度间的范围,改善了Ba TiO3基陶瓷材料的温度稳定性。CaTiO3在BaTiO3里的极限溶解度只有21%,Ca2+的置换是有限的,但在一定程度却压低并展宽了居里峰,对介电常数的影响如图1所示。
1.2 la3+掺杂的影响
近几年,采用稀土氧化物掺杂大大地改善了Ba TiO3陶瓷的介电性能。常用的La3+是取代Ba2+的高价离子,Nb5+和Ta5+是取代Ti4+的高价离子,它们的化合物对Ba TiO3的置换将会导致Ba2+空位,宽化了其温度,使温度向低温漂移,介电常数相应降低。C e O2的加入,使Ba TiO3陶瓷的介电常数ε提高,介质损耗t a nδ减小,居里温度向低温方向漂移,居里峰展宽,其色散性明显降低。且随CeO2加入量的增加,Tc移动加快,而ε和t a nδ则随频率变化更加趋于平坦。
按照结晶化学原理,钙钛矿结构的稳定性用容差因子t描述:
式中rA、rB和ro分别为钙钛矿结构内的A位、B位离子和氧离子的离子半径。通常如Dy3+离子掺杂时,其A位、B位具有相近的容差因子,△r/r值对于A、B位均较高,它进入A或B位的概率相近。但过高的△r/r易造成点阵失配形变,削弱了D y3+在晶格内的固溶稳定性,使其在晶界区偏析,减弱了D y2O3对B a T iO3非铁电性固溶改性的作用。La3+掺杂时,A位容差因子比B位更接近于1,△r/r值A位低于B位,它进入A位的几率高于B位,故La3+掺杂倾向于进入A位造成点阵失配形变最小,从而对B a Ti O3介电温度特性的影响更盛。由于La3+的半径为0.122nm小于Ba2+的半径0.143nm,当La3+取代Ba2+时,使氧八面体收缩,晶格结构的轴率c/a降低,导致Ti4+的位移困难,减弱了瓷体的铁电性,使Ba TiO3的居里温度向负温移动,并使居里峰受到抑制。
根据已有的理论知识,在此将对N b2O5的掺杂改性对Ba Ti O3陶瓷电性能的影响进行简单阐述。
2 多元掺杂方法
B a Ti O3在室温是四边形的晶体结构,高于居里点(1 2 5℃)后是立方体钙钛矿结构,称为对位电相,低于1 25℃时该结构转变为四边形晶体结构,是由于B a2+和Ti4+阳离子和O2-阴离子沿10 0方向相对位移造成的。温度若愈低,位移便愈大。因此,在对Ba TiO3进行处理,降低其居里点时,Nb2O5发挥了重要的作用。铌离子部分取代钛离子,使居里点降低。文献研究了B a Ti O3的居里点随Nb2O5的加入而降低的情况。研究发现添加2.3%的铌原子使居里点由1 25℃降低到8 5℃。同时发现,随居里点的降低,电容量略有所降低。文献研究发现加入4.58%(摩尔分数)的Nb2O5可使居里点降低到室温。如果继续增大N b2O5的加入量,会使Ba Ti O3的介电常数不够高,达不到理想的电性能。
为了满足实际应用所需要的物理性能和电性能,一般情况加入了少量的其他的陶瓷质掺杂剂,也即所谓的多元掺杂。王悦辉等采用铌、钴、镧的柠檬酸-E D T A金属有机盐复合螯合前驱液表面包覆
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