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基于mosfe的超高频感应加热电源的研制 1 应力加热电源的应用 当直径小于0.5mm的金属丝或厚度小于0.5mm的钢带进行加热时，应将加热电源的频率设置为2mhz。否则，功率集中，密度低，无法达到所需的加热温度。过去感应加热电源常采用电子管,由于电子管工作在线性状态,因此功耗大、效率低、体积大、使用不便。近年来,随着大功率器件尤其是功率MOSFET的发展,高频感应加热电源的研制取得了很大的进展。目前感应加热电源逆变器一般采用桥式串联谐振电路,其优点是开关管工作在零电压或零电流软开关状态,大大减小了导通和关断损耗。但当逆变电源频率增加时,受功率MOSFET开关时间的限制,且为了防止桥式变换器桥臂直通,须设置死区时间,故难于提高开关频率。文中提出一种E类双管DC/AC超高频谐振式变换器,研制出2MHz/1kW超高频感应加热电源,用以超细型金属丝或超薄型钢带的淬火或焊接热处理。 2 /ac谐振式变换器 全桥式谐振变换器由4只功率开关管组成,半桥式谐振变换器也要用两只功率开关管,而E类DC/AC变换器则是单管工作,它的特点是选取适当的负载谐振网络参数,使开关管处于最佳工作状态,即当开关管导通或断开时,只有当器件的电压或电流降为零后,才能导通或断开,避免了开关器件内同时产生大的电压或电流,减小了开关转换时的器件功耗。为了提高逆变器的功率,减小单管容量,E类DC/AC变换器可采用两管并联交替工作。 E类双管DC/AC谐振式变换器电路拓扑如图1所示。图中开关器件VQ1、VQ2采用MOSFET功率场效应管,L0为高频变压器和感应器折算后的等效电感,C0为谐振电容,L0和C0构成的谐振回路产生的高频电压经变压器输出供给感应器。C1为外加电容,其作用是VQ1、VQ2工作在理想的状态。 图2是E类双管交替工作式DC/AC谐振式变换器的工作波形,Ug1、Ug2分别是VQ1、VQ2的驱动波形,其占空比为25%,即每个开关管只有1/4导通时间,3/4处于关断时间,减小了单个开关管的容量,而且降低了对功率MOSFET开关时间的要求。 从理论上分析,只要功率MOSFET开关时间小于其工作周期的3/4,变换器就能正常工作。设功率MOSFET的开关时间ton+toff=100ns,那么功率MOSFET的工作周期为133ns,功率MOSFET的导通时间为33ns,由于两管交替工作,变换器的工作周期为66ns,其频率为15MHz。由于目前驱动电路还做不到这样高的驱动频率,因此实际E类双管DC/AC谐振式变换器也达不到这样高的频率。 I1、I2为两个开关管导通时流过的电流。当其中任何一个关断时,使流过开关管的电流尽可能降得比较小,可使MOSFET接近实现ZCS关断。UC1为C1上的电压波形,当两个开关管任何一个导通时,保证Uc1放电到零,可使MOSFET实现ZVS开通。Uc0为谐振电容C0上的电压波形,适当选择C0和L0的参数,使电路工作在谐振点。 3 gm的输出特性 超高频感应加热电源系统框图如图3。 图中交流电压通过单相不可控整流电路转换为直流电压,通过直流斩波电路进行功率调节,电流检测和电压检测信号通过模拟乘法器转换成功率检测信号,和功率给定信号进行比较,其偏差通过PID调节器进行调节,控制PWM的输出脉宽,从而改变直流斩波电路的输出功率,形成功率闭环控制。PWM移相控制器产生高频触发脉冲,通过驱动电路驱动功率MOSFET的导通与关断,将直流电压逆变为高频交流电压,通过高频变压器耦合,输出到感应器负载。图中功率MOSFET逆变器采用E类双管DC/AC谐振式变换器。 3.1 采用两个功率mosf串联交替工作 图4是超高频感应加热电源主电路。通过控制开关管IGBT驱动脉冲的宽度来控制斩波电路的输出电压。逆变电路采用E类双管交替工作式DC/AC超高频谐振逆变器。为了提高逆变器的输出功率,减小单个功率MOSFET的容量,逆变电路中采用两个功率MOSFET并联交替工作,这样在不增加单只功率MOSFET容量的情况下,用两只相同容量的功率MOSFET,逆变器的输出功率可提高近一倍。另外两个功率MOSFET并联交替工作,在逆变器相同输出频率的条件下,可使驱动电路的频率降到单管工作时的一半,即当逆变器的输出频率为2MHz时,驱动电路的频率只要1MHz,减小了对驱动电路的快速性要求。 3.2 电流控制器的控制 直流斩波调压控制电路如图5。 图中 OP1——功率调节器,稳定逆变器的输出功率 OP2—— 电流调节器,限制逆变器的动态电流 OP1和OP2—— 电流、功率双闭环控制系统 电流调节器OP2的输出控制PWM电路的输出脉宽,通过IGBT驱动电路控制IGBT的占空比。 3.3 脉冲变压器回路 逆变器控制与驱动电路见图6。逆变器控制电路采用MC34067高速PWM专用控制器。该电