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rfid标签芯片的研究与发展 1 rfid技术 rfid是利用高频传感器（id）自动识别目标对象并接收相关信息的技术。近年来,射频识别系统作为一种廉价而可靠的自动识别技术,已经被广泛地应用于供应链管理、门禁、公交系统、行李跟踪等各大行业。射频识别系统被认为是构建未来普适计算的重要部分,基本的射频识别(RFID)系统由RFID电子标签(Tag或Transponder)和RFID 读写器(Reader或Interrogator)构成,在实际应用中,经常需要后端数据库(Back-end DB)的支持,如图1所示。RFID电子标签附着在物体上,以标识目标对象,由一个微小的标签芯片和天线构成。 RFID技术的工作频段主要分为低频(LF, 典型工作频率:125 kHz/134 kHz)、高频(HF, 13.56 MHz)、超高频(UHF, 433 MHz/860～960 MHz)、微波(MW, 2.45 GHz/5.8 GHz)。每一个频段都有其优点和缺点,各个频段的应用领域也不一样。低高频RFID读写器和标签在天线的近场区工作,基于电感耦合的工作原理,实现能量、数据的传输;超高频和微波RFID系统在天线的远场区工作,基于电磁波反向散射(Backscatter)耦合的工作原理,读写器发射的能量和数据通过电磁波辐射传送给标签,用电磁波反射进行标签到读写器的数据传输。 RFID标签主要分为无源标签(Passive或batteryless tag)和有源标签(Active tag)两种类型。无源RFID标签的能量来自读写器发射的射频能量,无须内置电源,具有体积小、重量轻、成本低、几乎无使用寿命限制等优点,但需要较大功率的读写器;有源RFID标签的能量来自其内置电源,具有长距离识别、对读写器的发射功率依赖小等优点,但是成本高、使用寿命有限。RFID系统的成本中占最主要因素的是大量使用的RFID标签,RFID市场大幅成长需要低廉的RFID标签推动。 2 rfid标签芯片 国内外关于无源RFID标签芯片的研究工作有很多。最早出现的是低频RFID标签芯片。1995年,Sau-Mou WU等人提出一种无源RFID标签芯片(Batteryless transponder IC),对能量获取电路进行了重点论述,设计工艺采用0.8 μm CMOS工艺,存储器采用ROM,工作频率是低频的134.2 kHz,其结构如图2所示。 随着无线通信技术、集成电路工艺及设计技术的发展,无源RFID标签芯片的实现和应用逐渐趋于成熟,高频、超高频、微波频段的标签芯片相继出现。1999年,S. Masui 等人提出了内嵌CPU、支持读写的高频(13.56 MHz)RFID标签芯片,具有防冲突、安全认证等复杂的功能;N. Panitantum等人详细论述了高频RFID标签芯片的射频接口部分的设计,其结构如图3所示。高频RFID标签芯片已经发展为符合IS0/IEC 14443和ISO/IEC 15693的两种标准产品。 超高频、微波频段的标签芯片起步较晚,大量研究工作主要集中在2003年至2006年。其中,文献、发表的标签芯片最具代表性。Karthaus U.和Fischer M.提出了一种最小输入RF(射频)功率仅为16.7 μW的超高频无源RFID标签芯片,如图4所示。它采用支持读写的EEPROM存储器,设计工艺采用支持EEPROM和肖特基二极管(Schottky diodes)0.5 μm 2P2M CMOS工艺。文中重点论述了如何在获取RF能量上提高能量转换效率,但没有论述具体电路的低功耗实现技术,且其要求的肖特基二极管通常在标准CMOS工艺中没有。 文献给出了针对供应链管理(Supply chain management, SCM)的超低成本超高频RFID标签芯片的设计,设计工艺为0.25 μm标准CMOS工艺,采用自适应硅方法(Self-adaptive silicon approach),在CMOS工艺上实现非易失性存储器,大大降低了芯片的制作成本;文中提出,当芯片面积低于1 mm2时,才能满足供应链管理的低成本应用需求;此外,对无源RFID标签芯片的电源管理(Power management)、ESD、测试方法、安全与隐私、低成本等技术挑战进行了简单分析。 随着集成电路设计工艺的发展,研究人员为实现RFID标签芯片所选择的工艺尺寸也越来越小,Y. K. Teh等人提出了基于TSMC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺的低频RFID标签芯片,其工作频率为132 kHz,功耗1.8 mW。RFID标签芯片是一种数模混合芯片,所以也有研究者将A/D转换器应用于RFID标签芯片中。 能提供RFID标签芯片产品的公司主要有飞利浦(Philips)、西门子(Siemens)