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光刻工艺的质量控制 1 光刻工艺的技术基础 光刻技术是制作半主导工艺和电路微电路结构的一项重要技术。它的工艺质量直接影响到设备的成本率、可靠性、设备性能、使用寿命等参数指标的稳定和改善。而造成影响这些性能参数的最直接的、最重要的原因之一,就是在整个光刻工艺中引入的各种缺陷。随着微电子加工工艺技术的不断发展,工艺设备的更新和工艺环境的改善,已经使现有的光刻工艺体系有了质的飞跃。但由于其工艺过程和内容的特殊性,同时器件的掩模版图形越来越复杂,图形面积越做越大,线条要求越来越细,器件性能和精度要求越来越高,就目前的工艺条件来说,整个光刻工艺流程并不能摆脱或完全摆脱人工的参与,同时还有工艺设备的稳定性、工艺原材料的影响等因素依然存在,因此,避免和消除工艺过程中造成的各种缺陷,进一步提高器件成品率和可靠性等性能参数,仍然是光刻工艺质量控制的工作重点。 2 光刻工艺过程中可能会产生一些缺陷 在半导体器件特别是超大规模集成器件从单晶片衬底材料经过多次氧化、淀积、光刻等各项工艺到最后的中测、封装、末测的整个制作过程中,都有可能产生各种缺陷,尤其是重复次数最多的光刻工艺,它几乎贯穿至封装前的整个器件工艺制作过程。经有关的工艺分析资料表明,光刻引入的工艺缺陷几乎占整个工艺流程总缺陷的50%。除了掩模版质量引起的缺陷外,大部分是在进行光刻工艺的操作过程中由于人流(人员的行为)、物流(操作介质)、气流(净化环境)等因素引起随机分布的点缺陷。 有关研究表明芯片成品率随着缺陷密度的增加和芯片面积的增大而呈指数式下降。 在硅片上制作器件或电路的工艺过程中,为了进行选择性的区域、局部性掺杂或进行各种线条的互连,需要进行多次反复的光刻,每一次光刻的工艺条件或许都不一样,同时工艺过程中还基本上都需要人员大量的参与操作,每一次均会引入一些缺陷而降低成品率。 根据有关与实际光刻工艺过程对照验证的测试结果显示,实际最终的成品率与缺陷的关系比上述的指数函数变化要缓慢些。就其原因我们认为可能是其他后面的多次有关工艺(如:氧化),使前面的微量缺陷(如:氧化层中或以氧化层为衬底的介质层中的微小针孔)得以填补修复的结果。 每一次光刻需要经过涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶等多次步骤,循环周期长。工艺过程中由于人流、物流、环境气流以及原材料的质量、工艺设备的不稳定或者是卫生、清洗步骤的不彻底等等因素,都非常容易引入各种缺陷,其每一步骤都对质量有着直接的影响。经常出现的缺陷种类,概括起来主要有以下几类:(1) 掩模胶中存在的颗粒和空气中的灰尘引入的点缺陷;(2) 光刻工艺过程中的机械损(划)伤; (3) 掩模胶中的针孔缺陷;(4) 掩模版质量引起的缺陷。 3 缺陷产生的原因 3.1 涂胶前硅片表面处理不规范,存在“回喷”的问题 光刻掩模胶通常由感光剂(光致抗蚀剂)、溶剂和增感剂组成。感光剂是一种对光非常敏感的高分子化合物,当光刻胶受到适当的波长的光线照射后,它就能吸收一定波长的光能量,并发生交联、聚合或分解等化学反应,使光刻胶性质发生变化。根据其性质分为正性光刻胶(正胶)和负性光刻胶(负胶)。 在光刻工艺过程中,对涂胶的质量要求首先是膜厚必须符合每次光刻内容的要求,厚度均匀,胶面不应看到干涉花斑,正胶厚度误差小于1.5%,负胶厚度误差小于3%;其次胶膜内不能含有回溅胶点(斑)、针孔等点缺陷;第三、胶膜表面不能有各种尘埃颗粒。 涂胶前硅片表面清洁处理不良,表面沾有污物、微细灰尘颗粒,使得胶层里或胶层面上有灰尘的地方对曝光和腐蚀都产生了妨碍作用,同时也降低了胶膜与硅片的粘附能力,容易形成如小岛或针孔似的点状缺陷;对掩模胶里的不溶颗粒,其产生的后果与灰尘一样;另外,曝光时间的选择不合理(较短,使显影困难),曝光之后的显影,如果前烘的温度变化大且温区不均匀,容易使胶膜产生“热斑”造成曝光、显影不彻底而出现小岛之类的缺陷或者使胶膜的抗蚀性变差;冲洗不彻底(还会使图形边缘出现锯齿缺陷)、工作人员的净化服处理不干净、工作环境净化条件差等,也会引入点缺陷。而涂胶时采用何种胶盘形状才能最大程度地降低光刻胶在涂胶吸盘高速旋转时产生的“回溅”现象造成的点缺陷,应引起足够的重视。这类缺陷在硅片上的分布是随机的,其密度与灰尘和掩模胶中的不溶颗粒密度以及显影、冲洗的程度等因素有着直接的关系。 值得注意的是:有关研究资料表明,抽烟的人比不抽烟的人产生的灰尘要高一个数量级还多。 3.2 设备机械研磨的应用 涂在硅片表面上的掩模胶,经前烘或坚膜处理后,其机械强度也非常弱,工艺操作过程中的任何机械擦碰,如工艺中使用的洁净纸张、人员穿戴的净化服装(特别是衣袖)、夹片的镊子尖等物品的擦碰以及在硅片涂胶后前烘不足使胶膜缺乏基本的微机械强度,经不起任何的轻微触碰;曝光、显影冲洗、显微镜下观察、干法或湿法腐蚀等的装取