基于电场优化的双屏蔽层设计在500kvgis套管中的应用.docxVIP

基于电场优化的双屏蔽层设计在500kvgis套管中的应用 0 优化套管结构参数,使之具备整体、又符合工艺设计的要求 由于vs6气体绝缘体的密封结构，阐明了接地法官的现场分布，及其屏蔽效果对减小瓷套的端径、减少瓷件的重量以及减少瓷件的制造工艺具有重要意义。因此,目前国内550 k V套管大多采用中间电位和接地电位双重屏蔽结构形式,可使得套管的内外电场分布更加合理。但双屏蔽结构形式的550 k V套管要考虑将导电杆和2个屏蔽层平稳地安装入瓷套中,同时还需保证导电杆和2个屏蔽层的同轴度,使得装配工作增加了很大的难度,从而需在工艺设计上采取多种措施。而一旦套管装配不当,造成屏蔽层即电极上有杂质或悬浮物,或导致套管电极击穿,给套管的安全稳定运行带来极大的隐患。同时,采用旋压工艺的中间电位屏蔽层(2 m以上以及绝缘支撑筒都会增加套管的成本。为了使套管设计获得理想的技术经济指标,针对以上的矛盾,笔者在不改变双屏蔽层所用瓷套的结构参数条件下,摒弃目前普遍采用的中间电位和接地电位双重屏蔽结构形式,而采用仅使用接地屏蔽层的单屏蔽结构形式,利用有限元算法,充分优化套管内屏蔽层结构参数,在使得套管的内外电场分布合理的同时,也提高了套管经济指标。经型式试验验证,采用单屏蔽层结构形式的套管绝缘性能满足工程需要,并具有较大的裕度。 1 套筒的内部屏蔽结构形式 中间电位和接地电位双重屏蔽层结构形式、仅采用接地电位屏蔽层的单屏蔽层结构形式分别见图1。 2 剖分单元的确定及约束添加 笔者采用有限元算法ANSYS商用软件对单屏蔽层结构套管进行了电场计算与分析,模型是轴对称的二维模型,同时也考虑了远场区。ANSYS中提供了远场单元INF110来组成无限大空间,无限大区域的剖分方式与有限区域不同,远场单元的多少对计算的准确度有一定影响,可根据计算准确度来具体设定。剖分单元选用PLANE121和INF110,单元属性为轴对称[5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15]。模型计算参数见表1。 加载2种边界条件: 1)均压环、中心导电杆及其金属附件施加雷电冲击耐受电压1 800 k V电位,接地屏蔽层和接地法兰施加零电位; 2)在远场单元无限远边界加载,同时剖分过程中对关键区域及曲线采取加密方式。 瓷外套结构参数:瓷套下端内径500 mm,长度5 m。套管各处的电场强度见表2(表2中数值是相对应于雷电冲击电压下的电场强度)。其中,套管内部最大电场强度出现在导电杆表面,见图2、3。 3 应用及先进的设计技术 允许雷电冲击场强值或称场强设计基准值对产品电气性能设计的可靠性及产品设计的经济性十分重要,场强设计基准值偏大了电气性能不可靠,偏小了产品大而不经济。影响SF6气体允许雷电冲击场强值的因素主要有: 1)放电理论的因素,主要是导体直径、电极表面粗糙度及SF6气压。电极表面粗糙度随着机械加工水平的不断提高,导杆表面粗糙度从6.3μm提高到1.6μm是完全可以实现的;导体直径与套管的设计通流能力有关;SF6气压与GIS整体设计密切相关,同时低气压可带来较好的低温环境适应能力。 2)设计及研究试验经验的积累。套管开发前期积累的大量试验数据可以证明,在保证电极表面粗糙度的前提下,套管在最低运行压力0.39 MPa(abs)的SF6气体雷电冲击负极性击穿场强值可达到30 k V/mm。笔者所设计套管内部最大电场强度出现在导电杆表面,最大值为25.5 k V/mm。 3)制造工艺及生产管理水平。任何先进的设计,都必须靠先进的制造工艺和科学的生产管理来保证设计的可靠性。笔者开发的套管接地屏蔽层上翻边处设计了6段圆弧光滑过渡来最优化此处电场强度的分布,接地屏蔽层采用先进的旋压工艺制作,加工过程中需对6段圆弧的尺寸严格控制。 当然,以上2)、3)各公司情况不尽相同,对允许雷电冲击场强值的取值也不尽相同,但由于近年来数值仿真计算机软件的大量应用、机械制造水平和生产管理水平的提高,使得550 k V SF6气体绝缘GIS套管在内绝缘屏蔽结构设计中既可解决接地法兰处电场分布合理性问题,又弥补了以往的双层屏蔽层所带来装配难、局放高和成本高等缺陷,使得套管设计可同时具有较好的技术和经济指标。 4 产品型式试验及认证 采用单屏蔽层结构的ZQ-550/5000-4(C)型550 k V SF6气体绝缘GIS套管委托国家电力绝缘子避雷器质量监督检验中心进行产品型式试验及认证。 依据GB/T 4109—2008《交流电压高于1 000 V的绝缘套管》,进行全部型式试验。产品主要绝缘类型式试验见表3。 从表3可看出,ZQ-550/5000-4(C)型瓷套管的绝缘性能各项指标符合要求,裕度较大。 5 结构形式套管的研制 套管在组装完成后需经过长途运输的颠簸、现场与组合电器的装配、现场交接试验等方可正