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2022年第三代半导体行业研究报告 第一章 行业概况 目前市场上的半导体材料以硅基居多，根据摩尔定律，当价格保持维持不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约内要18-24个月便可以增加一倍，性能也将提升一倍，但随着台积电在1nm及以下芯片方面赢得重大进展，硅基半导体未来将遭遇着摩尔定律失灵的问题，主要因为1颗原子的直径大小约为0.1nm，在1nm制程下，一条线可容纳没有10颗原子，只要其中存一个原子存瑕疵，就可以影响至产品良率。而以碳化硅和氮化镓居多的第三代半导体材料性能更加出众，且热导性能高，在小型化和轻量化方面更存优势，将变成下一代半导体材料的主要方向。 半导体材料始于上世纪50年代，最初以锗居多，世界上第一只晶体管就是由锗作为半导体材料，但由于硅在自然界的储量非常丰富，产品价格更高，且锗基半导体虽然电子能级更好，导电性能较弱，但热导能力极差，呕吐现象较为明显，所以硅基半导体变成第一代半导体材料的核心。目前，世界上绝大多数的半导体器件均以硅搞为基础材料进行生产，占据全球半导体产品90%以上的市场份额，广为应用于集成电路及部分功率半导体等扰动、低频、高功率领域，下游涵盖消费电子、通信、光伏、军事以及航空航天等。 第二代半导体材料以砷化镓和锑化铟居多，为化合物半导体，砷化镓就是典型代表。第二代半导体材料电子迁移率较低，生长工艺明朗，但禁带宽度较小，踢穿电场低，且材料有毒，极容易引致环境污染，在高温、高频、高功率领域应用领域比较受到限制，而在高频、高速领域应用领域最甚广，比如卫星通讯、移动通讯以及光通讯等。 第三代半导体材料以碳化硅和氮化镓居多，为阔禁带半导体材料，与前两代半导体材料较之，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的射穿电场、更高的热导率，在高温、高压金额高频领域整体整体表现较为出众，广为应用于新能源汽车、5G宏基东站、光伏、风电、高铁等领域。 表：第三代半导体材料 资料来源：千际投行，资产信息网，国融证券 与硅基材料较之，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料的耐磨高压、耐高温、高频和高热导率性能更好。 耐高压：碳化硅和氮化镓材料的射穿电场强度均在3MV/cm及以上，就是硅基材料的10倍，踢穿电场强度大，碳化硅基为器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗，所以非常适用于于于5G基站、轨交交通、光伏风电等高压领域。耐高温：半导体器件在高温下易产生载流子的本征唤醒现象，引致器件失灵，而半导体材料的禁带宽度越大，器件的音速工作温度就越高，碳化硅和氮化镓的禁带宽度分别为3.2eVh、3.4eV，而硅的禁带宽度仅为1.12eV，大约为碳化硅和氮化镓禁带宽度的1/3，较低的禁带宽度可以保证碳化硅和氮化镓器件在高温条件下工作的可靠性。目前，硅器件的音速工作温度通常无法多于300℃，而碳化硅器件的音速工作温度可以达致600℃以上，耐高温效果极为显著。咳嗽导性：高热导率有助于半导体器件的散热器，同时同时实现快速降温，在同样的输出功率下，能够并使半导体器件保持更高的温度，所需的散热器设计建议更高，不易精简器件终端的冷却系统，有助于同时同时实现半导体器件的小型化和轻量化，所以同规格下对制程的建议更高。目前，碳化硅的热导率多于硅的3倍，散热器性能性不好，无须繁琐的散热器设计市场需求，节省器件空间，更容易向集成化、小型化方向发展。高频性能：漂移速度就是指一个电子因为电场的关系而移动的平均速度，电子漂移速度越慢，工作频率越高。碳化硅和氮化镓的饱和状态电子漂移速率多于硅基材料的2倍，能够同时同时实现更高的工作频率和更高的功率密度。 表：三代半导体材料的指标参数对照 资料来源：千际投行，资产信息网，国融证券 此外，根据CREE公司数据，碳化硅衬底器件体积小，在相同的规格下，碳化硅基MOSFET尺寸仅为硅基MOSFET的1/10，大幅减小了同规格器件的制程建议。同时，由于碳化硅具备较低的禁带宽度，碳化硅器件可以进行重掺杂，导通电阻可以至少增加至原来的1/100。并且，根据应用材料数据，由于碳化硅具有较低的能量转换效率，且无法随着频率的提高而增加，碳化硅器件的工作频率可以超过至硅基器件的10倍，相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可以大大降低70%。 同时，在新能源汽车领域，相较于硅基IGBT，碳化硅MOSFET电动车的续航里程更长。在通常城市路况下，碳化硅MOSFET相较于硅基IGBT能够节省77%的能量损耗，在高速路况下，碳化硅MOSFET相较于硅基IGBT能够节省85%的能量损耗，能量损耗的减少并使碳化硅MOSFET的电动车相较于硅基IGBT电动车的续航里程提升5-10%，电池成本节省多于400美元。 第二章 商业模式与技术发展 2.1 产业链分析 第三代半导体产业链环节涵盖单晶衬底、外