电子元件覆锡铜引线的腐蚀机制.pdf

维普资讯 物理化学学报 (WuliHuaxueXuebao) M arch Acta ．Chim．Sin．，2002，18(3)：223—227 电子元件覆锡铜引线的腐蚀机制 高 苏 张启运 (北京大学化学与分子工程学院，北京 100871) 摘要 电子元件覆锡铜引线的可焊性常因储存时间的延长而太大恶化 ．本文通过盎相、XPS、电池断路电位和润 湿性测定等方法判断可焊性恶化的机制是：铜一锡金属间化台物 叼相 (Cu6Sr~)微晶向锡表面扩散，与锡形成微 电池对，遇到空气中的水份与酿气氛构成电化腐蚀所致 关键词： Cu~Sns， 电子元件引线． 钎焊， 可焊性 中圈分类号： O646，O641 印刷电路板上成百上千的各种 电子元件，为了 层表面的化学变化；用 XPS方法分析锡表面层成 在焊接流水线上一次完成与板上电路的可靠焊接。 分；再研究老化前后锡表层与气氛的电化学作用以 生产电子元件所用铜引线的表层常事先热浸上或电 及测定锡表层的可焊性变化从而最后判断覆锡铜引 镀上一层锡以保证其具有高的可焊性 ．实践表明， 线可焊性恶化的原因和机制 这种覆锡铜引线在仓储一段时间以后，有时不到半 1．1 热浸锡和电镀锡铜引线试样的制备及其界面 年。其可焊性即大为降低并引起元件在电路板上的 反应 虚焊 ．上千焊点中有个别点虚焊极难检出，从而造 铜试样 由厚度为 0．5mm 的纯铜片及直径为 成整个电路板的报废或 日后故障的丛出 ．多少年来 0．3mlT1的纯铜线制成 ．铜片切成 10innl×10mm 人们普遍认为引线可焊接性的下降是铜与锡界面上 小片，铜线剪成 10mlT1的小截 ．热浸锡试样制备时 反应生成的金属问化合物 相 (组成近似 Cusm) 将纯锡 (9999％)30g放于一瓷坩锅中，在恒温控 长透覆锡层所致 ．一些论文还不厌其烦地计算这 制的小电炉中保持需要的恒定温度 ．用头部绝热的 种化合物在不同温度下的生长速度 [2-sl，认为化合物 小镊子夹取试样在熔融的锡中授沾一定时间后取出 相在保存期内只要高度不长透锡层 ，引线可焊性 冷凝 ．这样可基本保证以下报告中铜线温度和浸沾 的恶化就不致发生 ．因此建议加厚引线覆锡层的厚 时间的可靠性 ．电镀锡试样是将铜片或铜线浸人 电 度来解决问题 “．然而事实上在湿热环境中， 相 镀液 (SnSO4-Hzs 一明胶 -口奈酚)中电镀而得 ，镀层 并未长透覆锡层的情况下，铜线的可焊性仍然有明 厚度 100—120帅 ． 显的下降．到底原因何在，其反应机制是怎样的，至 由于Cu—Sn(1)界面反应在超过 350℃时，界 今未有文献进行过深人的探讨和给出令人信服的结 面上的 相CuSm将 以笋状突跃生长 】．1 2s 论 ．本文拟用金相、XPS和电化学以及润湿力测定 的反应，笋状化合物生长的高度常超过 3O一50um 的方法研究其机制从而探讨其解决的办法 ． 并穿透覆锡层 ．本实验浸沾的温度选取300℃．时 间 l一2s．图l是铜线在300℃浸 Sn2s的试样断 1 实验方法及结果 面的金相照片 ．由图可见，在铜一锡界面上笋状化 本研究的程序是：先制备热浸锡和电镀锡的试 合物 相的生长虽较弱，但铜 向液态 sn中溶解和 样，然后进行模拟仓储条件的加速老化试验；分别制 扩散的速度却是惊人的，仅仅2s的浸沾，铜溶解和 备金相试片，观察老化前后锡一铜界面、锡层中和锡 扩散的距离竟超过 100