《晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试方法 传输线模型法（TLM）》.docxVIP

ICS 27.160 CCS F12 团体标准 T/CPIA FORMTEXT XXXX—202X 晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试方法 传输线模型法（TLM） Test method for contact resistivity of crystalline silicon photovoltaic cell metal electrode transfer length method （TLM） （报批稿） FORMDROPDOWN 202X-XX-XX发布 202X-XX-XX实施 FORMTEXT中国光伏行业协会??发布 T/CPIA XXXX—202X PAGE PAGE 3 T/CPIA XXXX—202X PAGE PAGE 4 晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试方法 传输线模型法（TLM） 范围 本文件规定了用传输线模型法（TLM）测试晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率的测试方法，包含方法原理、要求、样品制备、测试步骤、数据处理和报告。 本文件适用于在暗室环境下晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测量。 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 2297 太阳光伏能源系统术语 GB/T 14264 半导体材料术语 术语和定义 GB/T 2297和GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 方法原理 在硅片样品上印刷、烧结间距相同的6根矩形栅线如图1所示，分别以栅线1到栅线2、栅线3、栅线4、栅线5和栅线6的间距作为横坐标，用微欧计测量的电阻值RT为纵坐标，RT组成如公式（1）所示。对栅线间距和RT进行曲线拟合得到栅线与硅片的接触电阻、有效电流传输距离。再结合栅线长度根据公式（2）计算接触电阻率。 栅线1 栅线1 栅线2 栅线3 栅线4 栅线5 栅线6 光伏样品 栅线 探针 图1 测试原理示意图 （1） 式中： RT——测量的每两根栅线间总的电阻，单位为欧姆（Ω）； RC——金属栅线和半导体的接触电阻，单位为欧姆（Ω）； RS——半导体电阻，单位为欧姆（Ω）； Rm——金属栅线的电阻，单位为欧姆（Ω）。 ρc=LT 式中： ρc ——金属栅线和半导体接触电阻率，单位为毫欧·平方厘米（mΩ·cm2）； W ——栅线长度，单位为毫米（mm）； LT ——有效电流传输距离，单位为微米（μm）。 要求 微欧计 测量精度：1 mΩ。 测量环境条件 温度:23 ℃±1 ℃；湿度:60 %±20 %；暗室环境。 样品制备 制备表面方阻均匀一致的硅片样品，片内方阻均匀性应满足Wt≤5 %，均匀性按公式（3）进行计算： Wt=R□ 式中： Wt ——片内方阻均匀性，百分比值； R□Max——片内方阻最大值，单位为欧姆/方块（Ω/□）； R￡Min——片内方阻最小值，单位为欧姆/方块（Ω/□）； SE电池需要轻掺区和重掺区同时满足方阻均匀性的要求。 在硅片样品表面印刷6根矩形宽度为d（d≥15 μm）的栅线，每两根栅线间距为L（1 mm≤L≤2 mm），烧结成电池样品，记录烧结温度，烧结后电池样品栅线无断栅。 用激光在电池样品背面沿细栅线垂直方向切割为长条状，栅线两端与硅片边缘距离为0，样品宽度为W（10 mm≤W≤15 mm）。如图2所示。 WL5L4L3L W L5 L4 L3 L2 L1 栅线1 栅线2 栅线3 栅线4 栅线5 栅线6 图2 电池样品示意图 测试步骤 将样品放置在绝缘台面上开始测试，测试探针规格为直径1 mm平头探针，样品如图2所示，以栅线1为起始位置，栅线6为终止位置，用微欧计分别测量每两根栅线间电阻并记录，测试时探针位于栅线中心位置，然后求取上述平均值记为RT1。 重复7.1操作，分别测量每三根、每四根、每五根、每六根栅线间电阻并记录，然后分别求取平均值记为RT2、RT3、RT4、RT5。 以栅线1分别到栅线2、栅线3、栅线4、栅线5和栅线6的间距L1、L2、L3、L4、L5作为横坐标，RT1、RT2、RT3、RT4、RT5为对应纵坐标进行拟合，拟合曲线如图3所示，拟合优度应大于0.95。 RT（Ω）L(mm)2LT2RC L1 L2 RT（Ω） L(mm) 2LT 2RC L1 L2 L3 L4 L5 RT1 RT2 RT3 RT5 RT4 slope=RS/W 标引序号说明： L1 ——每2根栅线的间距，单位为毫米（mm）； L2 ——每3根