微电子计算例题.pptVIP

* * * * * * 本文档共50页；当前第31页；编辑于星期三\6点50分 基本概念 Eg=1.42eV Eg=1.12eV 本文档共50页；当前第32页；编辑于星期三\6点50分 基本概念 本文档共50页；当前第33页；编辑于星期三\6点50分 本征半导体中： 本征半导体中导带中的电子浓度值等于价带的空穴浓度值 说明：本征载流子浓度与费米能级无关 本征载流子浓度 本文档共50页；当前第34页；编辑于星期三\6点50分 计算 T=300K 时砷化镓中的本征载流子浓度，砷化镓禁带宽度为 1.42eV 例题13： 本文档共50页；当前第35页；编辑于星期三\6点50分 计算 T=450K 时砷化镓中的本征载流子浓度 例题14： 说明：当温度升高150摄氏度时，本征载流子浓度增大四个数量级以上。 本文档共50页；当前第36页；编辑于星期三\6点50分 计算 T=300K 时硅中的本征载流子浓度 例题15： 本文档共50页；当前第37页；编辑于星期三\6点50分 计算 T=200K 时硅中的本征载流子浓度 例题15： 说明：当温度降低100摄氏度时，本征载流子浓度降低大约五个数量级。 本文档共50页；当前第38页；编辑于星期三\6点50分 计算 T=400K 时硅中的本征载流子浓度 例题15： 本文档共50页；当前第39页；编辑于星期三\6点50分 电子和空穴浓度相等 同时取自然对数 导带和价带的状态密度 6. 本征费米能级位置 本文档共50页；当前第40页；编辑于星期三\6点50分 禁带中央 费米能级位置 说明：如果电子和空穴的有效质量相等，则本征费米能级精确处于禁带中央。 本文档共50页；当前第41页；编辑于星期三\6点50分 例题16： T=300K时，计算硅中本征费米能级位置 说明： 12.8meV与禁带宽度的一般（560meV）相比可以忽略。因此，可以近似认为：本征半导体中，费米能级位于禁带中央位置 本征费米能级相对于禁带中央的位置为 本文档共50页；当前第42页；编辑于星期三\6点50分 例题17： T=300K时，计算砷化镓中本征费米能级相对于禁带中央位置 本文档共50页；当前第43页；编辑于星期三\6点50分 非本征半导体 本征半导体是没有杂质原子和缺陷的纯净晶体 在非本征半导体中，电子和空穴两者中有一种将占主导地位 非本征半导体是掺入了定量的特定杂质原子，从而热平衡状态电子和空穴浓度不同于本征半导体的材料 本文档共50页；当前第44页；编辑于星期三\6点50分 电子和空穴的平衡分布 本文档共50页；当前第45页；编辑于星期三\6点50分 非本征半导体中： n 型半导体：电子浓度高于空穴浓度，掺入施主杂质原子 p 型半导体：空穴浓度高于电子浓度，掺入受主杂质原子 本文档共50页；当前第46页；编辑于星期三\6点50分 非本征半导体中电子浓度： 说明：加入施主杂质，费米能级高于 本征费米能级 本文档共50页；当前第47页；编辑于星期三\6点50分 非本征半导体中空穴浓度： 说明：加入受主杂质，费米能级低于本征费米能级 本文档共50页；当前第48页；编辑于星期三\6点50分 计算给定费米能级的热平衡电子浓度和空穴浓度，费米能级比导带低0.25ev，比价带高0.87ev 例题18 说明：费米能级的变化实际上是掺入施主或受主浓度的函数。此例中费米能级的变化随只有十分之几个电子伏特，电子和空穴的浓度与本征载流子浓度相比，却变化了若干数量级。 本文档共50页；当前第49页；编辑于星期三\6点50分 计算给定费米能级的热平衡电子浓度和空穴浓度，费米能级比导带低0.87ev，比价带高0.25ev 例题19 说明：此半导体为 p 型半导体 本文档共50页；当前第50页；编辑于星期三\6点50分 * * * * * * * * * * * * （a）简立方 1 个原子 （b）体心立方 2 个原子 （c）面心立方 4 个原子 1. 基本的晶体结构 本文档共50页；当前第1页；编辑于星期三\6点50分 例题1： 计算简立方、体心立方和面立方单晶的原子体密度，晶格常数为 说明：以上计算的原子体密度代表了大多数材料的密度数量级 本文档共50页；当前第2页；编辑于星期三\6点50分 例题2： 计算硅原子的体密度，其晶格常数为 本文档共50页；当前第3页；编辑于星期三\6点50分 特定原子面密度 说明：不同晶面的面密度是不同的 例题3： 本文档共50页；当前第4页；编辑于星期三\6点50分 例题4： 计算对应某一粒子波长的光子能量 已知波长 换算为更为常见的电子伏形式 能量为 2. 波粒二象性 本文档共50页；当前第5页；编辑于星期三\6点50分 例题5： 计算一个粒子的德布罗意波长 已知电