CZTS纳米晶薄膜太阳能电池材料的制备与表征.docVIP

CZTS纳米晶薄膜太阳能电池材料的制备与表征 CZTS纳米晶薄膜太阳能电池材料的制备与表征 CZTS纳米晶薄膜太阳能电池材料的制备与表征 Cu_2ZnSnS_4(简称CZTS)是一种直接带隙p型半导体，由于其禁带宽度( 1.5eV)与太阳能电池的最佳禁带宽度值匹配，光吸收系数大于104cm-1，因而成为潜在的薄膜太阳能电池吸收层材料。目前转换效率最高的CZTS光伏设备其吸收层是通过真空沉积法制备的。这种方法所需设备昂贵，制造成本过高，而采用胶体化学合成方法制备CZTS吸收层能够有效降低成本。因此，本论文分别采用热注入法和溶胶凝胶法这两种胶体合成方法来制备CZTS吸收层薄膜，讨论了制备参数对样品的影响并对比两种方法的优缺点。然后研究了窗口层和缓冲层的制备。论文第一章先介绍太阳能电池的基本理论，然后综述了CZTS吸收层材料及其薄膜太阳能电池制备的研究进展，最后提出了论文研究的主要内容、研究思路及研究意义。论文第二章主要采用热注入法合成Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒并对其进行表征，然后用纳米颗粒制备了薄膜并讨论了滴涂和逐层提拉两种制膜方法的优劣和烧结与不烧结得到的薄膜质量的好坏。粉末X射线衍射结果显示合成温度为240?C、250?C、260?C下得到的样品为四方晶型的CZTS晶体颗粒;而当合成温度高于275?C时，样品中生成了一种新相，即纤锌矿(六方晶型)型CZTS晶体。透射电镜测试