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fesi亚层厚度比对多层膜结构的影响 1 晶圆级封装材料的制备 -fesi2材料具有良好的耐光性一直是人们研究的重点。它具有禁带宽度为0.87 eV的直接带隙结构, 对于能量高于1.0 eV的光子的吸收系数高达105cm-1。其组成元素无毒无害、储量丰富,是一种环境友好的半导体材料,理论光电转换效率为16%～23%,在第三代太阳电池领域具有广阔的应用前景。目前基于β-FeSi2的太阳电池最高转换效率为3.7%,其衬底采用的是单晶Si片,目前国内也做出了同样结构的太阳电池,转换效率为0.37%。为进一步降低衬底成本,需要在非Si衬底上制备出结晶性能和表面性能良好的β-FeSi2。石英衬底在300～2500 nm波长范围内具有很好的透光率,对于β-FeSi2来说是一种很有潜力的衬底材料。但是,关于在石英衬底上生长出结晶性能良好的β-FeSi2的报道还很少。 制备β-FeSi2的方法主要有分子束外延(Molecule Beam Epitaxy, MBE),离子束合成(Ion Beam Synthesis, IBS),化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD),磁控溅射(Magnetron Sputtering,MS),脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)。其中磁控溅射需要的设备较为简单,成膜速率快。用磁控溅射结合多层膜的方法,经退火后可以在Si衬底上生长出结晶性能良好的β-FeSi2薄膜。 本文采用磁控溅射沉积Fe/Si多层膜的方法,分别在Si(111)衬底和石英衬底上沉积不同Fe/Si亚层厚度比的多层膜,在Ar气保护下进行常规热退火处理。研究了Fe/Si亚层厚度比对β-FeSi2薄膜的结构及表面形貌的影响。通过优化Fe/Si亚层厚度比,在石英衬底上制备出了单相且光学带隙为0.87 eV的β-FeSi2薄膜。 2 fe/si多层膜的亚层厚度比设计 在MSIB6000磁控溅射离子束溅射一体机上采用射频磁控溅射交替溅射Fe靶和Si靶的方式制备Fe/Si多层膜。Fe靶的直径为60 mm,纯度99.99 %。单晶Si靶的直径为60 mm,纯度99.9999 %。溅射用的气体为纯度优于99.99 %的Ar。Fe/Si多层膜的生长衬底为单面抛光的(111)取向的单晶Si衬底和高纯石英衬底。其中石英衬底放入丙酮、乙醇和去离子水中各超声波清洗10 min,取出后经高纯N2吹干,然后放入溅射室内。Si衬底先按标准的RCA清洗工艺进行清洗,然后放入5 %的HF酸蚀刻2 min,去除Si衬底表面的自然氧化层,再经去离子水冲净后,迅速放入溅射室。Fe靶的溅射功率为100 W,Si靶的溅射功率为200 W, Fe靶和衬底的距离为130 mm,Si靶与衬底的距离为120 mm,Ar气流量60 sccm,本底真空优于4.0×10-4Pa, 工作气压为0.1 Pa。多层膜的总厚度为252 nm,亚层厚度比和周期分别为[Fe(1 nm)/Si(3.2 nm)]60、[Fe(2 nm)/Si(6.4 nm)]30、[Fe (20 nm)/Si (64 nm)]3,为满足正确的FeSi2化合比,Fe/Si多层膜的亚层厚度比设计按照文献中所述, 不同样品的设计的总厚度相同,并且和实际测得的厚度吻合得很好。沉积的Fe/Si多层膜在 850 ℃,Ar气氛中退火2 h,升温速率为10 ℃/min,退火结束后随炉冷却。 采用台阶仪(AMBIOS XP-1)测量薄膜的厚度,采用X射线衍射仪(Bruker D8 Advance, X射线源为Cu靶Kα线,λ=0.154 nm)进行薄膜的结构分析,采用Multimode NanoScope 30型原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,采用近红外-紫外-可见分光光度计(Varian Cary 5000)研究薄膜的光学性能。 3 结果与讨论 3.1 薄膜的-fesi2400-84 图1是Si(111)衬底上不同Fe/Si亚层厚度比的多层膜经过850 ℃,Ar气氛中退火2 h后的XRD图谱。从图1(a)、(b)和(c)中可以看到,不同亚层厚度比的Fe/Si多层膜经过退火后,都生成了β-FeSi2,没有其他相的形成。其中Fe/Si亚层厚度比为1 nm/3.2 nm、2 nm/6.4 nm和20 nm/64 nm样品的β-FeSi2(422)衍射峰的2θ分别为49.66°、49.50°和49.62°,都略大于标准PDF卡片中该衍射峰的2θ(49.44°)。说明薄膜中(422)晶面的面间距减小,薄膜中存在一定的应力。 图2是Si(111)衬底上不同亚层厚度比的Fe/Si多层膜经850 ℃,Ar气氛中退火2 h后AFM表面形貌图。从图中可以看出,Fe/Si亚层厚度比为1 nm/3