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光控光电导开关产生高功率微波脉冲的研究 1 光电导开关w系统 光控光导消费开关（pcss）具有快速响应时间短、高速增长时间短、时间短的特点。结构简单、体积小、重量轻、易切方法工作。它可以根据比例制作大体积，也可以在材料的原有性能通过电极附近工作。它具有较大的动态平衡性和高效率的能力，并且可以集成到微件单位。因此，高效率微波的产生具有很大的发展前景。用光电导开关组成的高功率微波源是一种宽带源,与其它高功率微波源相比,用光电导开关可以直接把直流电能转换成射频电能输出,这种高功率微波源无需电子束做媒质,也就不需高能强流电子束源和产生微波的一整套复杂的真空电子设备,造价低廉,用途广泛。光电导开关的高功率应用领域包括脉冲功率器件和等离子体物理实验、超快信号的时域度量、兆瓦量级的微波脉冲产生、高分辨率探地雷达的脉冲产生器、 激光的泡克尔斯(Pockels)盒或Q开关的驱动器、武器的点火装置驱动器、激光二极管阵列的高电压驱动器和微型加速器。所有这些应用都需要开关或开关阵列在极短的上升时间内无抖动地对高功率进行开关转换。 1975年,Auston首次利用硅半导体材料的光电导性实现了光电导开关的应用。1979年,Mourou和Knox证明硅和砷化镓可以用作几千伏的皮秒光电子开关。硅的载流子寿命长,广泛用于产生纳秒的方脉冲,但由于热击穿问题,不能在室温下加几千伏的直流偏压,只能工作在脉冲偏置的条件下。1980年,Stavola等采用掺金硅在低温下使硅光电导开关能在直流偏压下开关2kV的电压。1982年,Mathur等 研究了一系列材料,证明CdS0.5Se0.5能在室温下承受2kV的直流偏置电压。金刚石具有高效率高功率开关所具有的全部重要特性,包括大的暗电阻率、高的本征击穿电场和合理的迁移率。Ho等于1983年用Nd:YAG激光器的的三次谐波紫外光作为光源,对金刚石得到了80%的开关效率。1984年,Nunnally等首次进行了应用光电导开关产生超大功率脉冲的试验,他们用一个2.5cm 长、0.5cm宽的硅光电导开关,外加150kV的偏置电压,获得了上升时间小于5ns、电压为100kV、电流为2kA、功率为80MW、脉冲宽度为200ns的电脉冲。1987年发现了砷化镓和磷化铟的非线性锁定工作模式,在这种工作模式下,可以用较低的触发光能使光电导开关导通,可以用半导体激光二极管激励光电导开关,从而可以把整个系统小型化。Loubriel等人1994年利用两个1kHz、90nJ、4.2ns脉宽的激光二极管激励偏压100kV的砷化镓高增益光电导开关,在50Ω的负载上产生了上升时间为430ps、脉宽约为1ns、输出功率达44MW的电脉冲。美国的Power Spectra 公司从1985年以来已经制造了一系列的脉冲产生器样品,1994年为美国空军制造了一个超宽带辐射阵列GEM II,该系统是一个利用800多个砷化镓高增益光电导开关组成的阵列。这一系统是世界上可重复工作的高功率微波系统中能在自由空间中产生最高瞬时电场的系统,在距辐射源74m处得到了22.3kV/m的电场,它所产生的电场比具有相同输出功率峰值的SNOMAD V产生的电场要高30倍,而且尺寸、重量、造价都大大优于SNOMAD V。GEM II的总峰值输出功率为1GW、重复频率为10kHz,中心频率为1GHz,其电场-距离乘积为1650kV,是现有已演示超宽带源中最高的,而充电电压仅有17kV。加天线增益后,GEM II的有效辐射功率可高达100GW,并且通过计算机控制,可以在小于100μs的时间内使波束转向±30°。 2 电导率的结构和工作模式 2.1 光照射开关工作原理 光电导开关是一块两端与金属电极形成欧姆接触的半绝缘光电导半导体材料,其结构和工作原理如图1所示。通过电极给开关加上偏置电压,由于选用的开关材料的电阻率很高,在没有光照射时,电路中只有非常小的暗电流流过,光电导开关处于断开状态。当用适当波长的光照射开关两端电极间的缝隙时,光电导半导体材料吸收入射的光子,价带或深能级中的电子被激发到导带,产生自由电子或电子-空穴对,形成自由载流子,开关的电阻率迅速下降,电路中开始有大的电流流动,此时光电导开关处于导通状态。当停止光照射后,由于光电导开关中自由载流子的复合,载流子数目很快减少,开关的电阻率又恢复到原来较高的值,电路中不再有电流流动,开关又恢复到断开状态。由于光电导开关材料对入射光的响应速度很快,载流子的寿命可以很短,因此光电导开关的导通和断开的过程非常迅速,成为有望取代现有高功率系统中传统开关的新技术。 2.2 非线性工作模式 光电导开关有两种很不相同的工作模式:在低偏置电压情况下,光电导开关工作于线性模式;在超过一定阈值的高偏置电压情况下,光电导开关工作于非线性模式。这两种工作模式的