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磁控溅射制备的欧姆接触电阻材料 1 欧姆接触对器件特性的影响 早期，欧姆接触的研究主要集中在硅基组件。随着半导器件和电路的发展，欧姆接触的内涵不断深化。近年来,砷化镓器件的发展极为迅速,其在高速数字、模拟电路和光电器件等方面得到了广泛的应用。MBE、MOCVD等新的材料生长技术为GaAs新器件如HBT、HEMT的发展奠定了基础;亚微米加工技术的实现使器件的截止频率提高到毫米波段。但是,由于寄生参量的存在大大限制了器件特性的提高,尤其是在微波、毫米波段,因此减小寄生参量是器件设计的一项重要工作。在器件的寄生参量中,由欧姆接触引入的串联电阻直接影响着器件的直流特性和频率特性,欧姆接触的好坏又决定了器件的可靠性。此外,当器件的尺寸减小到深亚微米时,对欧姆接触的均匀性、稳定性又有着苛刻的要求,因为接触结构的非均匀性会导致电流密度的非均匀性,引起可靠性问题;结构表面粗糙会使器件效率降低,特别是使用空气桥结构时,这种影响会更加明显。所以要提高器件的特性和可靠性,欧姆接触的设计和制作是器件研制的关键工艺之一。最初,人们多采用AuGeNi合金体系作为GaAs的欧姆接触金属,这种欧姆接触的工艺最成熟,使用得也最普遍。但当器件应用在高温或高功率的状态时,该合金体系的接触特性不能满足要求。故难熔金属合金体系与GaAs的接触研究受到广泛重视。本实验对Au/Ti/W/Ti与n-GaAs的欧姆接触进行了研究。 2 金属膜及2-k-gaas 本实验欧姆接触金属为Au/Ti/W/Ti多层金属膜,其中Ti、W金属膜采用MLH-2306RDE磁控溅射仪溅射获得,溅射气体为99.9999%高纯Ar,溅射前本底真空为2×10-4Pa,溅射压力为0.15Pa,衬底温度为100℃。Ti、W金属膜上的Au膜采用电子束蒸发形成,本底真空为2×10-4Pa,衬底温度为23℃。n-GaAs接触有源层是采用SI-GaAs单晶抛光片直接离子注入29Si+(注入剂量为1.5×1013/cm2,注入能量为120keV),再经非相干光快速退火激活获得。Au/Ti/W/Ti和n-GaAs接触通过非相干光快速合金化形成欧姆接触。退火炉与合金化炉均为KST-2型非相干光自动加热炉,样品在N2保护下按不同温度制度进行退火与合金化。XRD图谱由RAX-10转靶X射线衍射仪测定。光源为未经单色化的Cu-Kα辐射,波长为0.15418 nm,最大工作电流为200mA。金属膜厚由Talyar-Hopson型台阶仪测定。 比接触电阻采用本所研制的比接触电阻测试仪测试,其原理是传输线法,图1是比接触电阻测试示意图。 3 不同合金化前后an 图2所示为700℃合金化30s后Au/Ti/W/Ti和n-GaAs接触的I-V曲线,由图可知,700℃快速合金化以后,Au/Ti/W/Ti和n-GaAs接触,呈现明显的欧姆接触特性。 Au/Ti/W/Ti和n-GaAs材料的比欧姆接触和合金化温度的关系如图3所示,可以看出,随着温度的增加,比接触电阻不断变化,700℃时获得最低的比接触电阻,约为1.5×10-4Ω·cm2。 图4和图5分别给出了未合金化和700℃合金化30s后的Au/Ti/W/Ti与n-GaAs接触的AES能谱。由图可知,合金化前Au/Ti,W/Ti和Ti/GaAs界面清晰。当在700℃合金化后,图中的Ti峰下面以及Ti峰、W峰之间均有Ga峰出现,且Ti峰向GaAs内部延伸。同时,图中在Ti峰下面还观察到弱的As峰,可能对应着TiAs相,XRD图谱证实了一点。由图6可见,700℃合金化后,Ti与GaAs界面上有Ti5As3(213)相存在,这说明Ti和GaAs之间发生了互扩散和相互作用。另外,还观察到弱的(Ti0.4W0.6)5As4和(Ti0.4W0.6)Si2峰,其中Si是由于掺杂引入。在图4和图5中,可以注意到界面处有O峰的出现,这说明GaAs表面处理是必要的。Au的扩散终止于W层,说明W在该温度下起到了很好的阻挡Au的内扩散作用。 4 合金化界面生成tias的分析方法 Au/Ti/W/Ti金属层和n-GaAs间的接触在高温合金化后呈现欧姆特性,经AES图谱和XRD图谱分析可能和合金化后接触界面生成的TiAs相有关。该接触在700℃时获得最低的比接触电阻为1.5×10-4Ω·cm2。如果提高衬底的掺杂浓度,同时对材料进行表面处理,有望进一步降低该欧姆接触的比接触电阻。