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模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 半导体的基础知识 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错Ge）。 特性---光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体： 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 PN 结 PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，错材料约为0.2~0.3V。 PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 PN结的伏安特性 mr/Vip/mA正向特性?f/V反向特性 mr/V ip/mA 正向特性 ?f/V 反向特性 半导体二极管 *单向导电性 正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降 硅管0.6~0.7V，错管0.2~0.3V。 *死区电压 硅管0.5V，错管0.1V。 分析方法 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）； 若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。 1）图解分析法 [D=%D- 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q。 ■ - DR %（a）二极管电路 Cb）图解分析 2）等效电路法 ■ - D R % ＞ 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）; 若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。 *三种模型 —W— （a）理想模型 ■h %（c）折线模型（b）恒压 ■h % （c）折线模型 （b）恒压源模型 TJ 尸d %初一^ 3）小信号模型 Idq 稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连 稳压管的伏安特性 稳压管的伏安特性 第二章三极管及其基本放大电路 三极管的结构、类型及特点 类型---分为NPN和PNP两种。 特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 三极管的工作原理 三极管的三种基本组态 ? VT * VT e e c c （a）共发射极组态 （b）共集电极组态 （c）共基极组态三极管内各极电流的分配 （c）共基极组态 1c=A:n+/cbo = /bn + ^cn = /b + Ic 7b=7bn-Ab0 *共发射极电流放大系数（表明三极管是电流控制器件 + (1+P )/CBO =^B+/CEO m/ZZb 式子/CE（）=（1+/WCB（）称为穿透电流。 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。 0）测试电路（b）输入特性曲线 *输出特性曲线 0）测试电路 （饱和管压降，用uces表示 放大区---发射结正偏，集电结反偏。 截止区---发射结反偏，集电结反偏。 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高虹、Leo、TC以及8均增加。 低频小信号等效模型（简化） h ---输出端交流短路时的输入电阻， ie 常用,表示； h ---输出端交流短路时的正向电流传输比， fe 常用B表示； 基本放大电路组成及其原则 VT、V、R、R、C、C 的作用。 CC b c 1 2 ° ?ce/V3）输出特性曲线（c）简化的H参数等效电路基本放大电路的习惯画法组成原则----能放大、不失真、能传输。 ° ?ce/V 3）输出特性曲线 （c）简化的H参数等效电路 基本放大电路的习惯画法 放大电路的图解分析法 直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。 *画法---电容视为开路。 *作用---确定静态工作点 *直流负载线---由vcc=icrc+uce确定的直线。 *电路参数对静态工作点的影响 (a)改变心 (b)改变〃c (c)改变晚c 改变Rb : Q点将沿直流负载线上下移动。 改变Rc : Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。 改变，普直流负载线平移，Q点发生移动。 交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路 *画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。 *作用---分析信号被放大的过程。 *交流负载线---连接Q点和V cc，点V cc，= Uceq+IcqR l，的 直线。 CC 泗