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一种新型高压脉冲引弧器的设计 0 流磁场干扰通信 在tig焊接、离子弧焊接和焊接设备中，高频弧是非接触弧的主要方法。但是, 高频电离效应会影响操作者的健康;高频的回窜会损坏电子弧焊电源中的电器元件;高频电流磁场产生的电磁能量辐射会干扰计算机和传感器的自动控制, 干扰通信和广播网的正常传播。在美国飞马特热动力公司 (Thermal Dynamics Corporation) 的TRANSTIG系列产品操作说明书中明确指出:此类产品不准在定向爆破场合使用, 以免发生意外。 为了促进计算机控制技术向焊接领域迅速渗透, 在环保意识正日益增强的世纪之交, 研制出一种既克服高频危害, 又能具备良好引弧性能的装置, 就有很大的应用价值。本文提出了一种定时低频高压脉冲引弧方式, 并对其作了初步探讨。 1 弧形钻电路的组成和工作原则 1.1 电容器c、c转换电路 引弧器的主电路由倍压整流、可控硅开关以及升压输出三部分组成, 如图1所示。在TIG焊中, 通常采用的高频引弧器, 其电压为2.5~3 kV, 以击穿钨极与工件间的气隙 (3 mm左右) 而引燃电弧, 而等离子弧焊割设备的钨极到喷嘴之间的气隙更短。按上述要求, 引弧器输入220 V交流电压, 采用四倍压整流升压, 以保证该系统有一定的反应速度和足够的带负载能力。同时, 对作为无触点开关的可控硅元件的耐压要求较低, 有利于制作成本低廉和整套装置的小型化。 在倍压整流电路中, 利用二极管D1~D4的整流和引导作用, 将对电容C1~C4分别交替充电。根据极性相加原理, 在C2的正极和C4的负极可得到四倍于输入电压的高压。此升压过程分析如下: 当电源接通后, 假设此时正处在交变电压的正半周, 则二极管D1导通, D2载止, 电流经D1对电容C1充电;在随后的电压负半周时, D1截止, D2导通,C1上的极性与电源极性相同, 使C2上的充电电压可近似达到C1上电压的两倍。当又一正半波来临时, D3导通, 电源电压和C2上的极性相同, 所以C3被充电的数值近似等于电源电压与C2上的电压叠加之和减去C1上的电压。由于C2上的电压是C1上的两倍, 所以C3的电压也为C1的两倍。同理可推导出在负半波时, D3截止, D4导通, 此时C4上的电压也被充至C1电压的两倍。由此可见, 电容器的充电是按顺序进行的, 并且在前半波被充电的电容器, 在后半波要释放一部分电荷给后一个电容器充电。因此, 要达到稳定状态, 需要经历多个周波的反复充放电才能完成。最后, 从C2和C4的串联电路上可输出最大理论峰值1 244 V的电压施加于可控硅SCR1两端。 在可控硅SCR1接收到触发信号导通后, 电容C2和C4贮存的能量向升压变压器B释放, 通过该变压器的耦合效应, 把高压脉冲感应到焊接回路上。由于变压比为1∶3, 所以在图示的焊炬钨极与工件间可感应出高达3 700 V的电压, 足以击穿3 mm的气隙达到引弧目的。 因为变压器为电感负载, 在可控硅SCR1上反向并联一个续流二极管D5, 当电容C2和C4通过变压器B放电时线圈产生的感应电流经D5构成振荡回路, 使可控硅SCR1承受反向电压而可靠关断, 避免未能及时关断而失控。变压器线圈的瞬间通断, 对可控硅这种承受过电压能力较差的元件带来电压冲击, 所以, 与可控硅SCR1并接电阻R2和电容C5的串联电路来吸收高压冲击, 串接R3起到限流保护作用。 1.2 东南角电路 定时脉冲触发电路由降压整流电流、555时基集成电路及其保护线路和耦合输出四部分组成, 如图2所示。 当定时触发电路与引弧器主电路同时接通电源后, 交流220 V的电压被电容C6降压和二极管D6整流后, 由电容C7滤波和集成块UA7812稳压后为555集成电路供电。根据555集成电路的定时原理, 当选定了电阻R5和电容C9, 并调节可变电阻到一定值后, 即选中了相应的工作频率。而且, 调节R6, 可在不影响频率的前提下选择所需的占空比。按引弧器的研制要求, 该线路的工作频率为1次/s, 占空比为0.3。此方波经电容器C10和电阻R7构成的微分电路, 可把方波变成正、负并存的脉冲电压经二极管D7削去负脉冲后, 正脉冲通过脉冲变压器Bm的初级线圈, 经隔离耦合在次级线圈感应出一个定时信号, 触发主电路可控硅SCR1导通。为了防止来自焊接设备可能产生的干扰信号而导致可控硅SCR1误触发, 在脉冲变压器Bm的输出端并联电容C11, 以增强引弧器的抗干扰能力。 2 电容器b、c充放电特性 对引弧器的试验分为电路测试和击穿能力两部分。电路测试的目的是检验理论设计的符合性, 击穿能力是考核引弧器的综合使用性能。 接通电源后, 用XJ4630型慢扫描示波器可观察引弧器各组成部分电路的工作状态。首先以时间标度为5 s/格的扫描