adp晶体生长过程中的微观结构.docxVIP

adp晶体生长过程中的微观结构 1 生长界面的微观结构模型 从微观角度来看，晶体生长过程本质上是一个从流相中不断通过固液界面进入晶体格位的过程。在这个过程中，生长基元必须受到界面结构的限制。如果晶体的生长条件和晶体界面的结构如何影响这一过程，一直是晶体生长研究的重要课题之一。此外，许多界面微观结构的理论模型还没有得到验证。在对ADP晶体的研究中, 前人运用光学显微镜、电子显微术、激光干涉术、X射线衍射等手段, 研究了ADP晶体各面族生长界面的形貌, 其研究尺度基本均限于微米量级。而原子力显微镜 (AFM) 可以提供原子级、分子级的数据, 本研究组利用AFM开展了KDP类晶体的生长研究, 提供了相变界面的更小尺度的微观形貌描述与实验数据。由于现有的界面微观结构理论模型都是理论分析的间接研究, 其与实际的界面结构是否吻合还有待验证, 而这, 对于认识和理解相变过程, 确定晶体的生长机制是非常重要的。 ADP晶体由于具有激光倍频效应, X射线分光性, 电光效应, 压电效应等多种特殊功能, 一直倍受学者的关注。本文通过AFM非实时与实时观察, 获得了ADP晶体在一定相变驱动力范围内生长界面的大量微观结构数据, 结合几种典型的界面微观结构模型, 讨论和分析ADP晶体界面微观结构的热力学性质及其随相变驱动力的变化, 研究ADP晶体在不同相变驱动力下的生长机制。 2 可变界面的微观结构理论模型 2.1 表面活性剂的生长 又称为考赛尔模型。模型认为晶体是理想完整的, 并且从原子或分子层次来看, 界面上没有凹凸不平的现象, 固相与流体相之间是突变 (或称锐变) 的, 目的是为在晶体生长一层原子面尚未完成的情况下, 找出生长基元在界面上进入晶格格位的最佳位置。该模型是一种非常简化的理想界面, 与实际晶体生长情况往往有很大差距。 2.2 不消失的台阶源 即夫兰克模型。模型认为晶体是理想不完整的, 其中必然存在有一定数量的位错, 如果一个纯螺型位错和光滑的奇异面相交, 在晶面上就会产生一个永不消失的台阶源, 在生长过程中, 台阶将逐渐变成螺旋状, 使晶面不断向前推移。 2.3 界面模型的表征 即杰克逊模型。模型认为晶体生长的界面为单原子层, 而将晶体中与界面层相邻的一层原子称为晶体表层。单原子层中所包含的全部晶相与流体原子都位于晶格位置上, 并遵循统计规律分布, 又称之为单原子层界面模型。根据统计物理的近似计算, 可判断固-液界面的平衡结构性质, 即属于光滑界面 (界面层全部为固相原子) 或粗糙界面 (界面层固相原子与流体相原子各占一半) 。当界面相变熵α2时, 界面平衡结构是光滑界面, 反之为粗糙界面。 界面相变熵取决于物质的种类, 相变温度和界面取向。因此, 同一物质在不同类型的生长系统中的界面平衡结构可能是不同的。 2.4 深度区域范围 模型认为晶体生长的界面由多层原子组成, 界面层是一个有深度的区域范围。在平衡状态下, 可根据界面相变熵大小推算界面层深度, 并可根据非平衡状态下界面自由能变化, 由界面相变熵及相变驱动力确定界面微观结构。 3 实验 3.1 饱和温度c0法 实验所用ADP原料为优级纯, 溶剂为自制双重蒸馏水。溶液用0.22 μm的微孔滤膜过滤。 溶液中盐浓度采用称重法计算 (精度0.01 g) ;相对过饱和度σ可表示为: σ= (C-C0) /C0(1) C,C0分别为实际溶液浓度及相应温度下对应的饱和溶液浓度 (g/cm3) ; C0=S/V(2) S为饱和温度T对应下的溶质溶解度 (g) ;V为溶液体积 (cm3) ; ADP溶液的溶解度计算公式为 S=171+4.7T(克ADP/千克饱和溶液) (3) T为饱和点温度 (℃) 。 根据实验要求配制不同过饱和度的溶液, 过热24 h后过滤, 采用浓度涡流法确定溶液实际饱和点, 密封后继续在高于其对应饱和溶液温度15 ℃的恒温环境中过热24 h备用。 3.2 样品的原位观察 非实时和实时AFM观察样品所需籽晶采用蒸发法生长, 图1所示为实验选用的典型籽晶之一。 非实时观察样品的制备。将抛光后的籽晶安放在作为育晶器的250 mL广口瓶内, 育晶器置于精度为±0.01 ℃可视恒温 (降温) 槽 (JULABO) 中。生长温度恒定在20～40 ℃之间的某一温度, 使过饱和度σ处于0.005～0.11之间某一值, 生长2～10 h晶体生长样品从溶液中取出后, 即浸入双蒸水 3～5 s, 然后用搽镜纸吸干液体, 再放入干燥器中保存。 样品的原位实时观察。实验时, 先将抛光后的籽晶放入AFM专用液池 (材料为聚四氟乙烯) ;然后将温度高于饱和点以上3～5 ℃的生长溶液小心注入液池, 用热电偶温度计 (0.1 ℃) 监视扫描装置内溶液的温度, 待其降到生长温度时开始扫描, 同时监