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cua-si-nzr双层结构扩散阻挡层的制备及性能

与传统的金属化合物al相比，cu具有低电阻度、更好的抗电迁延性能和更高的隔热性能。如果采用cu作为连接线材料，可以显著提高电路的运动速度和可靠性。cu已经取代了al，成为下一代的连通材料。但Cu在Si和Si的氧化物中扩散相当快,且Cu一旦进入其中即形成深能级杂质,对器件中的载流子具有很强的陷阱效应,使器件性能退化甚至失效。而要解决Cu扩散问题同时增强Cu与介质的附着力,必须在Cu与Si或SiO2之间增加一个扩散阻挡层。难熔金属及其氮化物由于熔点高和化学惰性已经广泛地用于阻挡层材料,然而难熔金属和它的氮化物大多是多晶结构,晶界会成为Cu原子快速扩散的通道。为解决这一问题,非晶态三元难熔金属化合物已经成为阻挡层的研究热点,尤其是Ta-Si-N已经成为极具潜力的阻挡层材料。然而Ta-Si-N的电阻率大于600μ?·cm,这不适合电路高速运行的特点,热稳定性好且电阻率低的阻挡层一直是人们所追求的。Cheng和Chen的研究表明,Zr沉积到Si上后易形成Zr-Si过渡层,过渡层的厚度在高温退火后随时间的增长而变厚,并且高温退火后Zr与Si形成的Zr-Si层具有电阻率低(50nm厚约为32μ?·cm)的特点,且Zr-Si本身也是很好的阻挡层材料,800℃退火1h仍能有效地阻止Cu的扩散。因此,本实验为了获得低电阻率且热稳定性好的阻挡层,