B2用霍尔元件测量磁场_2.docVIP

实验名称

用霍尔元件测量磁场

实验目的

1.了解霍耳效应的机理，明确应用霍耳效应测磁场的原理。

2.学会用霍耳元件测磁场的基本方法，并测绘通电螺线管轴向磁场分布曲线。

3.熟悉箱式电位差计的使用方法。

主要讲授内容：

实验原理：

如图1所示，一块边长分别为l和b、厚度为d的长方形半导体薄片，放在均匀磁场中，并使薄片平面垂直于磁场方向，若在1、2端面通以电流I，则在3、4端面间就产生一电位差，这现象称为霍耳效应，其电位差称霍耳电压VH。利用霍耳效应制成的器件称霍耳元件。

xy

x

y

z

d

b

l

VH

ve

Fm

Fe

3

4

1

2

I

I

﹢

﹣

E

R

方向沿z轴，图1电子在的作用下发生偏转，并聚积在端面3上，使端面3带负电荷，端面4带正电荷，从而在3—4间建立电场，这电场使电子又受到电场力的作用，与方向相反。开始时，电子将继续聚积到3上，电场继续增大，直至为止，此时就在3—4端面间形成一稳定的电场和稳定的电压VH=Eb,于是有：

图1

设霍耳元件中载流子(电子)的密度为n，则I的大小为：

由上二式解得式中(其单位为：mV／mA·T)

13

1

3

4

2

K1

K2

K3

IS输入

IM输入

VH输出

螺线管

霍耳元件

电位差计

稳压电源

mA

A

﹢

﹢

﹢

﹢

﹢

E

R

IS=I

IM

只要测出VH和I，就可利用下式算出磁感应强度B，即

实验主要步骤：

（1）测绘通电螺线管轴向磁场分布；

（2）测绘螺线管中心处的磁感应强度B与励磁电流强度IM的关系曲线。

实验操作注意事项：

Is和VH不能接错，否则就会损坏霍尔元件。

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教师小节：

1.实验数据(有效数字、误差分析等)

(cm)

0

1

2

3

5

6

9

13

18

23

25

26

27

28

V1(mV)×0.2

0.65

1.55

2.00

2.10

2.15

2.15

2.15

2.15

2.15

2.15

2.10

2.10

2.00

1.50

V3(mV)×0.2

0.45

1.35

1.80

1.85

1.90

1.90

1.90

1.90

1.90

1.90

1.90

1.85

1.75

1.30

VH(mV)

0.11

0.29

0.38

0.39

0.40

0.40

0.40

0.40

0.40

0.40

0.40

0.39

0.37

0.28

B(T)

×10-3

2.0

5.3

6.9

7.2

7.4

7.4

7.4

7.4

7.4

7.4

7.4

7.3

6.8

6.8

B(T)

B(T)×10-3

X(cm)

B-x曲线

N=116.6×102/m

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

V1(mV)

0.55

1.00

1.35

1.75

2.20

V3(mV)

0.30

0.75

1.10

1.50

1.95

VH(mV)

0.085

0.175

0.245

0.325

0.415

B(T)(×10-3)

1.6

3.2

4.5

5.9

7.6

B理论(T)

1.5

2.9

4.3

5.8

7.3

B(T)

B(T)×10-3

IM(A)

B-Im曲线

其它

1.实验时，要做到Is和IM都能从零开始连续可调，并注意不要使直流稳压电源输出短路或过载；

2.霍耳片易碎，引线也易断，通过的电流Is不能超过5mA，使用时应细心；

3.线圈通电时间不宜过长，否则线圈发热，影响测量结果，励磁电流IM不能超过0.5A。

系主任签名：中心（室）主任签名：

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