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一：场效应管的主要参数

（1） 直流参数

饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS

开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS

（2） 交流参数

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。

（3） 极限参数

漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。

栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。

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二：场效应管的特点

场效应管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：

（1） 场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；

（2） 场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高；

（3） 它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

（4） 它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强。

符号：“Q、VT”，场效应管简称FET，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件

GjI_] GjI_]

I1I3 I*I3

N尚直 F尚直

场效应管分三个极：

D极为漏极（供电极）

S极为源极（输出极）

G极为栅极（控制极）

D极和S极可互换使用

场效应管图例：

艮，乩后：

场效应管的分类：

场效应管按沟道分可分为N沟道和P沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。

按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的N沟道，其次是增强型的P沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。

五主板上用的场效应管的特性：

1、 工作条件：D极要有供电，G极要有控制电压

2、 主板上的场管N沟道多，G极电压越高，S极输出电压越高

3、主板上的场管G极电压达到12V时，DS完全导通，个别主板上5V导通4、场管的DS功能可互换

N沟道场管的导通截止电压：

导通条件：VGVS,VGS=0.45--3V时，处于导通状态，且VGS越大，1D越大

截止条件：VGS，ID没有电流或有很小的电流