(硅酸盐)-烧结过程.ppt

材料科学与工程学院单位时间内每个14面体中空位的体积流动速度为:∵∴且?tf--空隙完全消失所需的时间,t--任意选定的时间。材料科学与工程学院对于界面扩散,用类似方法可求得:式中,Db、W--分别为界面扩散系数和界面宽度。3.烧结末期烧结进入后期,气孔完全孤立。气孔位于四个晶粒包围的顶点,晶粒已明显长大,坯体收缩率达到90-100%。气孔已由圆柱形孔道收缩成位于十四面体的24个顶点处的孤立气孔。后期孔隙率为:材料科学与工程学院4.烧结三个时期比较表10.1烧结三个时期比较快快慢烧结速度＞95%,理论密度Ps与t的1次方成正比Pc与t的1次方成正比ΔL/Lo＜6%并与t的2/5次方成正比致密化情况球形(封闭在顶点)圆柱形,并连通无一定形状气孔形状14面体互相粘附,颈部粗大14面体模型球形,粘结成颈固体颗粒形状末期中期初期[工艺上的应用]:烧结初期致密化速率小,故初期用快烧,以节省燃料,中、后期慢烧使烧结完全。材料科学与工程学院§4再结晶与颗粒长大再结晶与晶体长大是与烧结并列的高温动力学过程。它不依赖于烧结机理,但又与烧结并列发生,在烧结后期特别明显。1.初次再结晶初次再结晶:烧结过程中,从塑性变形的具有应变的基质中产生出新的无变形晶粒的成核和长大过程(即为了消除晶体中的残余应力而重新结晶)。2.晶粒长大晶粒长大:在烧结过程中晶粒的平均尺寸增大,并伴随有一些较小晶粒被兼并和消失的过程。这一过程的推动力是晶界过剩的表面能。其主要特点是:晶粒平均尺寸的增大,伴有小晶粒被吸收与晶界的移动,不引起致密化。材料科学与工程学院晶界两侧晶粒的自由焓变化ΔG为:式中,γ为表明能,V为分子体积;r1和r2分别是两晶粒表面的曲率半径。自由焓差ΔG既是该晶界移向曲率中心的推动力。(a)晶界结构图(b)晶界两侧原子位置的自由焓图图10.6晶界结构及原子位能图材料科学与工程学院根据绝对反应速度理论,总过程的速度是由原子跃迁过界面的速度决定的。原子自A向B跃迁的频率fAB为:原子反向跃迁的频率fBA为:式中R为气体常数;N为阿佛加德罗常数;h为普朗克常数。材料科学与工程学院令原子每次跃迁距离为λ,则晶界移动速度u=λf,则:∵∴而?结论:1)晶粒长大速度随温度呈指数律而增加。材料科学与工程学院2)因为每个晶粒边界的曲率半径是直接和颗粒直径D成正比,所以晶界移动和相应的晶粒长大速度u和晶粒尺寸成反比,即:u=dD/dt=k’/D积分得:D2-D2o=kT式中Do为时间t=0时的颗粒平均直径。到烧结后期D＞＞Do,故有:D=kT?3)烧结中的晶体长大特征是由于凸面处粒子向凹面跃迁,导致凹面处平均晶粒尺寸增大,(伴随着晶粒被吞并)及晶界移动,可以认为不引起致密化。因为不引起致密化,所以与烧结平行发生的晶体长大可认为不影响烧结速率。3.二次再结晶(异常晶体长大)二次再结晶:当正常的晶粒长大由于杂质或气孔等的阻碍作用而停止以后。如果基质晶相中存在少量大尺寸、多晶面的晶粒,以至晶粒可以越过杂质或气孔继续推移,从而以大晶粒为晶核,不断吞并周围小晶粒而迅速长大成更大晶粒的过程。材料科学与工程学院材料科学与工程学院二次再结晶与晶粒长大不同:1)前者是在晶界移动受阻的情况下发生的(全面晶界移动受阻,个别晶界移动),所以在烧结过程中,控制得当时可以不存在二次再结晶或相对减少二次再结晶,但晶粒长大永远存在。二次再结晶有时在十分平直的界面上也同样发生,因此二次再结晶不仅与表面张力,曲率半径有关,还与取向有关。2)处于晶界上的气孔,可沿晶界快速通道移动,集中最终排除掉。因此晶粒长大有利于气孔的排除。而二次再结晶则由于晶界移动速度快,有可能把晶界上的气泡,杂质等全部包含到晶体中,造成晶体不能和气孔排除的困难。3)二次再结晶二次再结晶速度不仅与基质晶粒平均直径D成反比,并与气孔平均直径Dg成反比,考虑到D与Dg成比例,则有公式:u=(k/D)(k/Dg)=k/D2=dD/dt,积分得公式:D3-D3o=kt。材料科学与工程学院材料科学与工程学院材料科学与工程学院材料科学与工程学院此式反映了基质原始物料和气孔平均尺寸(Do)对二次再结晶速率的影响。原始物料颗粒长大时,Do变大变小。另外,大于平均尺寸Do的颗粒容易发生二次再结晶。二次再结晶是有害的,因为晶体异常长大,降低致密度,并且影响产物的显微结构,强度性能变坏。工艺上认为二次再结晶主要是原料起始粒度