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sic外延制作过程

SIC外延制作过程

SIC（碳化硅）是一种具有高温、高硬度和高化学稳定性的材料，因此

在半导体、电力电子、光电子等领域有着广泛的应用。其中，外延制

备技术是SIC元器件制造中的重要环节。本文将介绍SIC外延制作过

程。

一、SIC晶体生长

SIC晶体生长主要有物理气相沉积法（PVT）、低压化学气相沉积法

（LPCVD）和分子束外延法（MBE）等几种方法。其中，PVT法是最

常用的方法。

1.PVT法

PVT法利用SiC粉末或块状原料，在高温下反应生成SiC气相，然后

在低温区域沉积形成晶体。具体步骤如下：

（1）制备SiC粉末或块状原料。

（2）将原料放入石英舟中，并封闭舟口。

（3）在高温下加热舟内原料，使其反应生成SiC气相。

（4）SiC气相通过导流管进入低温区域，在衬底上沉积形成晶体。

2.LPCVD法

LPCVD法是在低压下，通过将SiH4和C2H4等气体反应生成SiC薄

膜。具体步骤如下：

（1）清洗衬底表面，使其干净无尘。

（2）将衬底放入LPCVD反应室中。

（3）在反应室中通入SiH4和C2H4等气体，使其反应生成SiC薄膜。

（4）控制反应条件，使薄膜均匀生长。

二、SIC外延制作

SIC外延制作主要有两种方法：金属有机化学气相沉积法（MOCVD）

和分子束外延法（MBE）。其中，MOCVD法是最常用的方法。

1.MOCVD法

MOCVD法是利用金属有机化合物和氨等气体，在高温下反应生成

SIC薄膜。具体步骤如下：

（1）清洗衬底表面，使其干净无尘。

（2）将衬底放入MOCVD反应室中。

（3）在反应室中通入金属有机化合物和氨等气体，使其反应生成SIC

薄膜。

（4）控制反应条件，使薄膜均匀生长。

2.MBE法

MBE法是利用高能电子束或离子束轰击SIC晶体表面，使其分解并沉

积成薄膜。具体步骤如下：

（1）清洗衬底表面，使其干净无尘。

（2）将衬底放入MBE反应室中。

（3）在反应室中利用高能电子束或离子束轰击SIC晶体表面，使其分

解并沉积成薄膜。

（4）控制反应条件，使薄膜均匀生长。

三、SIC外延制作后处理

SIC外延制作后处理主要有两种方法：氢化和退火。其中，氢化是提高

SIC质量的重要手段。

1.氢化

氢化是将SIC薄膜置于H2气氛中，在高温下进行还原处理。具体步

骤如下：

（1）将SIC薄膜置于H2气氛中。

（2）在高温下进行还原处理，使其质量更加纯净。

2.退火

退火是将SIC薄膜置于空气或惰性气体中，在高温下进行处理。具体

步骤如下：

（1）将SIC薄膜置于空气或惰性气体中。

（2）在高温下进行处理，使其质量更加稳定。

四、SIC外延制作注意事项

SIC外延制作需要注意以下几点：

1.清洗衬底表面时要彻底，以免影响SIC质量。

2.制备SiC粉末或块状原料时要选择优质原料，以提高晶体质量。

3.控制反应条件时要精确，以证薄膜均匀生长。

4.在氢化和退火过程中，要控制温度和气氛，以避免产生不良反应。

五、总结

SIC外延制作是一项复杂的工艺，需要掌握多种技术。通过本文介绍的

方法和注意事项，可以提高SIC薄膜的质量和稳定性，为SIC元器件

的研发和应用提供有力支持。