HBM行业深度：制造工艺、发展现状、竞争格局、市场测算及相关公司深度梳理.pdfVIP

行业|深度|研究报告

2024年3月18日

HBM行业深度：制造工艺、发展现状、竞争

行格局、市场测算及相关公司深度梳理

业

研

究近期，美光宣布已开始量产其HBM3E高带宽内存解决方案；三星发布首款36GBHBM3E12HDRAM，

目前为三星容量最大的HBM；SK海力士于1月中旬正式结束了HBM3E的开发工作，并顺利完成英伟

报达历时半年的性能评估，计划于3月开始大规模生产HBM3E产品，这批HBM3E将用于英伟达下一代

Blackwell系列的AI芯片旗舰产品B100上，而英伟达则计划于2024年第二季度末或第三季度初推出

告

该系列产品。同时，武汉新芯近日就HBM封装技术招标，拟实现月产能超过3000片12英寸晶圆。面

对海外大厂对于HBM3E的量产，国内存储厂商也在HBM技术上进行着加速突破，有望在AI大浪潮

的需求下提升竞争实力，相关产业链或将受益。

围绕HBM，下面我们从其基本概念入手，了解其优势及持续迭代更新在性能上的提升情况，并对该行

业制造工艺、发展现状及竞争格局进行分析，并对市场前景进行测算，方便读者深入了解这一行业。

目录

一、概述1

二、制造工艺5

三、发展现状7

四、竞争格局9

五、市场测算10

六、相关公司15

七、参考研报25

慧

博一、概述

智

能1.HBM

投HBM（HighBandwidthMemory）意为高带宽存储器，是一种面向需要极高吞吐量的数据密集型应用

程序的DRAM，HBM的作用类似于数据的“中转站”，就是将使用的每一帧，每一幅图像等图像数据保

研

存到帧缓存区中，等待GPU调用。

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HBM通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔技术）垂直堆叠多个DRAM，与GPU通过中介层互联

封装在一起，在较小的物理空间里实现高容量、高带宽、低延时与低功耗，已成为数据中心新一代内存

解决方案。

2.优势

HBM在带宽、功耗、封装体积方面具备明显优势。按照不同应用场景，行业标准组织JEDEC将

DRAM分为三个类型：标准DDR、移动DDR以及图形DDR，图形DDR中包括GDDR和HBM。相

比于标准的DDR4、DDR5等产品，以GDDR和HBM为代表的图形DDR具备更高的带宽，其中

HBM在实现更大带宽的同时也具备更小的功耗和封装尺寸。

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2024年3月18日

GDDR和HBM有效解决了内存墙的问题，在中高端GPU中得到广泛应用。过去20年中，处理器的峰

值计算能力增加了90,000倍，但是内存/硬件互连带宽却只是提高了